[发明专利]一种SiC光学材料加工设备有效
| 申请号： | 201310366741.7 | 申请日： | 2013-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN103456610A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 解旭辉;史宝鲁;李圣怡;戴一帆;周林;廖春德 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;G02B5/08 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 光学材料 加工 设备 | ||
1.一种SiC光学材料加工设备，其特征在于：包括电感耦合等离子体发生装置、工作气体供给源（8）和反应气体供给源（9），所述反应气体供给源（9）中装有能通过电感耦合等离子体发生装置激发后与SiC发生化学反应的反应气体，所述电感耦合等离子体发生装置包括等离子体炬管（34）和套设于等离子体炬管（34）外的感应线圈（35），所述工作气体供给源（8）和反应气体供给源（9）与等离子体炬管（34）相连，所述感应线圈（35）的一端与射频电源（4）相连，所述感应线圈（35）的另一端通过可调电阻器R1接地。
2.根据权利要求1所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述感应线圈（35）与等离子体炬管（34）外壁之间设有屏蔽金属板（36），所述屏蔽金属板（36）通过可调电容C3接地。
3.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述感应线圈（35）的一端通过阻抗匹配器（5）与射频电源（4）相连。
4.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述反应气体供给源（9）和工作气体供给源（8）与等离子体炬管（34）的连接线路上设有质量流量控制器（10）。
5.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述等离子体炬管（34）安装于一具有至少三轴联动功能的数控运动平台（2）上。
6.根据权利要求5所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述数控运动平台（2）位于一封闭加工室（1）中，所述封闭加工室（1）连接一尾气处理装置（11）。
7.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述工作气体供给源（8）与等离子体炬管（34）的连接线路上设有点火装置（6）。
8.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述感应线圈（35）连接一水冷机（7）。
9.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述工作气体供给源（8）与等离子体炬管（34）的中管和外管相连，所述反应气体供给源（9）与等离子体炬管（34）的内管相连；或者，所述工作气体供给源（8）与等离子体炬管（34）的外管相连，所述反应气体供给源（9）与等离子体炬管（34）的中管相连。
10.根据权利要求1或2所述的SiC光学材料加工设备，其特征在于：所述反应气体供给源（9）为SF6气瓶或NF3气瓶或CF4气瓶。
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