[发明专利]曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月14日向韩国专利局递交的第10-2012-0146637号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

公开的技术涉及用于薄膜沉积的曝光装置、控制曝光装置的方法、以及用于曝光的对齐方法，更具体地，涉及使用反馈回路更精确地控制装置的部件移动的位置并且由此精确地校准薄膜的图案化。

背景技术

在一般的薄膜曝光装置中，从光源发出的光照射到掩膜上，穿过在掩膜中图案化的开口，然后入射到基板上。这样，光以掩膜中图案化的开口的相应形状照射到基板的预设区域。

在上述的曝光过程中，为了以掩膜中图案化的开口的相应形状精确地曝光基板的预设区域，掩膜或基板的对齐是重点关注的问题。

例如，典型的工艺是激光热转印（LITI）工艺，在LITI工艺中，从光源发出的激光束穿过掩膜并且使用掩膜成形。成形的激光束到达供体膜以将特定量的有机或无极材料作为薄膜层转印至基板。在LITI工艺被初始化之前，激光束应该被精确地对齐以入射到形成有例如薄膜晶体管（TFT）的基板的预设区域（例如，特定的子像素区域）。这是因为如果激光束具有非预期的形状或者照射到基板的非预期的区域则会产生有缺陷的电子产品。

因此，由于掩膜的对齐和与激光束的形状相关的用于薄膜沉积（例如，TFT）的区域的位置被预先设置，激光束照射的区域所在的基板的对齐是至关重要的。

然而，在传统的薄膜曝光系统中，当曝光重复执行时，例如由于老化效应和热效应，曝光装置的曝光的精确度降低。也就是说，由于驱动单元因外界环境条件随时间变化而老化并且光源（典型地激光束）的位置因从曝光过程产生的热而变化，所以引入了曝光图案的位置误差。

发明内容

公开的技术提供了曝光装置、控制曝光装置的方法和用于曝光的对齐方法，该曝光装置能够防止因例如老化效应或热效应引起的曝光装置的曝光精确度的降低。然而，公开的技术不限于此。

根据本发明的一方面，提供了一种曝光装置，包括：主台，被配置为调整基板的位置；光束照射单元，被配置为将光束照射到掩膜上；以及光束监视单元，具有相对于所述主台固定的位置，并且被配置为识别从所述光束照射单元发出且穿过所述掩膜中的开口以形成特定图案的光束。

所述曝光装置还包括控制单元，所述控制单元被配置为输出表示所述主台的位置的基板位置调整信号以调整所述基板的位置。

所述控制单元可基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，输出所述基板位置调整信号。更详细地，所述控制单元被配置为检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，其中所述被监视位置是基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述基板位置调整信号。

从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号包括：第一位置调整信号，用于允许所述基板的对齐键相对于所述光束照射单元被设置在预设对齐位置；以及第二位置调整信号，对应于具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量。

可选地，所述曝光装置还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，从所述控制单元输出的所述基板位置调整信号对应于具有作为起点的、由所述对齐键监视单元获得的所述基板的对齐键的被检测位置且具有作为终点的、相对于所述光束照射单元的所述预设对齐位置的基向量和具有作为起点的所述预设参考位置且具有作为终点的所述被监视位置的调整向量之和。

所述的光装置还包括用于调整所述掩膜的位置的掩膜台，所述控制单元输出表示所述掩膜台的位置的掩膜位置调整信号，以基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息调整所述掩膜的位置。在这种情况下，所述控制单元被配置为基于与所述光束监视单元获得的光束有关的信息，检查入射到所述光束监视单元的光束的被监视位置，并且所述控制单元基于所述被监视位置与预设参考位置之间的差别，输出所述掩膜位置调整信号。

所述曝光装置还包括对齐键监视单元，所述对齐键监视单元被配置为获得与所述基板的对齐键的位置有关的信息，所述控制单元输出被配置为对所述对齐键监视单元的位置进行调整的对齐键监视单元位置调整信号。在这种情况下，所述控制单元基于与由所述光束监视单元获得的光束有关的信息输出所述对齐键监视单元位置调整信号。