[发明专利]新颖MX到MX-2的系统和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

形成在半导体衬底上面叠置的第一金属轨道；

在所述第一金属轨道上形成第一金属间电介质层；

形成在所述第一金属间电介质层上面叠置的第二金属轨道；

在电介质封装层中封装所述第二金属轨道；

形成在所述第一金属间电介质上面叠置的第二金属间电介质，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述电介质封装层选择性地可蚀刻；并且

经过所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层蚀刻过孔至所述第一金属轨道，所述电介质封装层形成确定所述过孔的宽度尺度之一的至少一个侧壁。

2.根据权利要求1所述的方法，包括在所述过孔中形成传导塞。

3.根据权利要求2所述的方法，包括在所述传导塞上形成第三金属轨道。

4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述传导塞和所述第三金属轨道包括：

在所述过孔中并且在所述第二金属间电介质层上沉积传导材料；并且

从所述第二金属间电介质层的顶表面去除所述传导材料。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述传导塞将所述第三金属轨道之一与所述第一金属轨道之一电连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质封装层包括氮化硅。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述电介质封装层包括碳。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属间电介质层是有孔电介质层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质封装层少于50nm厚度。

10.一种器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的第一金属轨道；

在所述衬底和所述第一金属轨道上的第一金属间电介质层；

在所述第一金属间电介质层上的第二金属轨道；

封装所述第二金属轨道的电介质封装层；

在所述第一金属间电介质层和所述电介质封装层上的第二金属间电介质层；以及

在所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层中的过孔，所述第一金属间电介质层和所述第二金属间电介质层相对于所述电介质封装层选择性地可蚀刻，所述电介质封装层限定所述过孔的宽度。

11.根据权利要求10所述的器件，包括所述过孔中的传导塞。

12.根据权利要求11所述的器件，包括所述电介质封装层上的第三金属轨道，所述第三金属轨道由所述传导塞电耦合到所述第一金属轨道。

13.根据权利要求14所述的器件，其中所述第三金属轨道与所述传导塞是相同的材料。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述第三金属轨道与所述传导塞一体。

15.根据权利要求14所述的器件，其中所述传导塞和所述第三金属轨道包括铜。

16.一种方法，包括：

在衬底上形成多个第一金属轨道；

在所述衬底和所述第一金属轨道上形成第一电介质层；

在所述第一电介质层上形成第二金属轨道；

在电介质保护层中覆盖所述第二金属轨道的顶部和侧部；

在所述第一电介质层上和在所述电介质保护层上形成第二电介质层，所述第一电介质层和所述第二电介质层相对于所述电介质保护层选择性地可蚀刻；并且

在所述第二金属轨道的相对的侧部上的所述第一电介质层和所述第二电介质层中蚀刻第一过孔和第二过孔以各自接触相应的第一金属轨道，所述电介质保护层限定所述第一过孔和是第二过孔的相应宽度。

17.根据权利要求16所述的方法，包括：

在所述第二金属轨道之上蚀刻所述第二电介质层，所述第二电介质层的一部分在所述电介质保护层上保留；并且

在所述第一电介质层和所述第二电介质层中蚀刻所述第一过孔和所述第二过孔，所述电介质保护层充当掩模以限定所述第一过孔和所述第二过孔的宽度。