[发明专利]一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮及倒角方法

权利要求书

1.一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮，其特征在于，所述倒角砂轮包括数个粗倒角砂轮槽（1）和数个精倒角砂轮槽（2），粗倒角砂轮槽直径φr比待加工硅单晶片厚度T小120～150μm，粗倒角砂轮槽半角度θr为18～22°，粗倒角砂轮槽深度Dr为1000±100μm，粗倒角砂轮槽金刚石粒度为600～1000#；精倒角砂轮槽直径φf比待加工硅单晶片厚度T小160~180μm，精倒角砂轮槽半角度θf为11°，精倒角砂轮槽深度Df为1500±100μm，精倒角砂轮槽金刚石粒度为1000～2000#。

2.根据权利要求1所述的一种加工厚层外延用硅单晶片的倒角砂轮的倒角方法，其特征在于，该方法包括粗倒角和精倒角两步加工过程，粗倒角加工时的倒角砂轮转速设定为2500～5000rpm；粗倒角加工1～2圈，单圈去除量小于1000μm；粗倒角加工时的硅单晶片旋转速率设定为16～20mm/s；精倒角加工时的倒角砂轮转速设定为3000～5000rpm；精倒角加工2～4圈，单圈去除量小于200μm；精倒角加工时的硅单晶片旋转速率设定为10～15mm/s。