[发明专利]多管芯电子直写式圆珠笔在审
申请号: | 201310363332.1 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104425207A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 郑义;刘静 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H05K3/00;B41J2/005 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 管芯 电子 直写式 圆珠笔 | ||
1.一种多管芯电子直写式圆珠笔,其特征在于,包括:
笔架结构,用于承载装有液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨的多管式笔芯;
笔芯,用于装载液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨,并使油墨能直写在基底上;
其中,所述液态金属导电油墨用于印制或写出导体结构,所述半导体油墨用于印制或写出半导体结构,所述绝缘油墨用于封装导体结构或半导体结构。
2.根据权利要求1所述的圆珠笔,其特征在于,所述笔架结构包括:
笔壳,用于承载所述笔芯;
笔芯按钮,用于选择所述笔芯并将其送入笔管口;
笔芯弹簧,用于使选择的笔芯在所述笔芯按钮作用下上、下运动。
3.根据权利要求1或2所述的圆珠笔,其特征在于,所述笔芯包括:
笔芯壳,用于装载所述液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨;
电热丝,用于使所述液态金属导电油墨、绝缘油墨及半导体油墨保持液态;
笔芯头,用于使圆珠保持原地滚动以带动所述液态金属导电油墨、半导体油墨及所述绝缘油墨写出到基底上;
圆珠,用于在滚动作用下带出所述液态金属导电油墨、半导体油墨及所述绝缘油墨并使其直写在基底上。
4.根据权利要求3所述的圆珠笔,其特征在于,所述圆珠的直径为10nm~5cm。
5.根据权利要求1或2所述的圆珠笔,其特征在于,所述液态金属油墨包括低熔点液态金属或其合金、以及少量氧化物或磁性纳米颗粒添加物。
6.根据权利要求5所述的圆珠笔,其特征在于:所述液态金属为以下材料中的至少一种或其任意组合:镓、镓铟合金、镓铋合金、镓锡合金、镓铟锡合金、镓铟锡锌合金、镓锡铅合金、铋铟锡合金、铋锡合金、铋铅合金。
7.根据权利要求5所述的圆珠笔,其特征在于:所述磁性纳米颗粒为以下材料中的至少一种或其任意组合:Fe、Ni、Co、Gd、Fe3O4、CoFe2O4、ZnFe2O4、MnZnFe2O4。
8.根据权利要求1或2所述的圆珠笔,其特征在于,所述半导体性油墨包括以下材料中的至少一种或其任意组合:红荧烯rubrene、并五苯pentacene、聚3-己基噻吩P3HT、聚3,3’-二烷基连四噻吩PQT、聚3芳基胺PTAA、梯形聚合物BBL,以及在其内添加的半导体纳米颗粒。
9.根据权利要求8所述的圆珠笔,其特征在于,所述半导体纳米颗粒为以下材料中的至少一种或其任意组合:硫化锗颗粒、硒化锗颗粒、碲化锗颗粒、铋化铟颗粒、砷化铟颗粒、锑化铟颗粒、氧化铟颗粒、磷化铟颗粒、砷化镓颗粒、磷化镓颗粒、硫化铟颗粒、硒化铟颗粒、氧化铟锡颗粒、碲化铟颗粒、氧化铅颗粒、硫化铅颗粒、硒化铅颗粒、碲化铅颗粒、硅化镁颗粒、氧化锡颗粒、氯化锡颗粒、硫化锡颗粒、硒化锡颗粒、碲化锡颗粒、硫化银颗粒、硒化银颗粒、碲化银颗粒、氧化碲颗粒、氧化锌颗粒、砷化锌颗粒、锑化锌颗粒、磷化锌颗粒、硫化锌颗粒、硫化镉颗粒、氧化硼颗粒、硒化锌颗粒、碲化锌颗粒,所述半导体纳米颗粒的粒径为1nm~900nm。
10.根据权利要求1或2所述的圆珠笔,其特征在于,所述绝缘油墨中含有的聚合物为以下材料中的至少一种或其任意组合:聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲脂、聚乙烯苯酚、硅胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所,未经中国科学院理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310363332.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基片刻蚀方法
- 下一篇:双稳态继电器与双稳态致动器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造