[发明专利]一种比较器及其红外焦平面阵列读出电路

权利要求书

1.一种红外焦平面阵列读出电路的比较器，其特征在于，包括：

比较器电路（10）；

灌电流电路（20），所述灌电流电路（20）一端连接到系统电源（VDD），另一端连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT），用于减小所述比较器电路（10）的输出端（OUT）的输出电压由高到低翻转过程中所述比较器电路（10）的比较时间的差异；

抽电流电路（30），所述抽电流电路（30）一端连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT），另一端接地，用于减小所述比较器电路（10）的输出端（OUT）的输出电压由低到高翻转过程中所述比较器电路（10）的比较时间的差异。

2.如权利要求1所述的比较器，其特征在于：所述灌电流电路（20）包括第一PMOS管（PM1）和第一NMOS管（NM1），其中：

所述第一PMOS管（PM1）的源极连接到系统电源（VDD），漏极连接到所述第一NMOS管（NM1）的漏极；

所述第一NMOS管（NM1）的漏极连接到所述第一NMOS管（NM1）的栅极；

所述第一NMOS管（NM1）的源极连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT）。

3.如权利要求1所述的比较器，其特征在于：所述灌电流电路（20）包括第一PMOS管（PM1）和第一二极管，其中：

所述第一PMOS管（PM1）的源极连接到系统电源（VDD），漏极连接到所述第一二极管的正极；

所述第一二极管的负极连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT）。

4.如权利要求1至3中任意一项所述的比较器，其特征在于：所述抽电流电路（30）包括第二PMOS管（PM2）和第二NMOS管（NM2），其中：

所述第二PMOS管（PM2）的源极连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT）；

所述第二PMOS管（PM2）的漏极连接到所述第二PMOS管（PM2）的栅极，并且连接到所述第二NMOS管（NM2）的漏极；

所述第二NMOS管（NM2）的源极接地。

5.如权利要求1至3中任意一项所述的比较器，其特征在于：所述抽电流电路（30）包括第二PMOS管（PM2）和第二二极管，其中：

所述第二二极管的正极连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT）；

所述第二二极管的负极连接到所述第二NMOS管（NM2）的漏极；

所述第二NMOS管（NM2）的源极接地。

6.如权利要求1至5中任意一项的比较器，其特征在于：所述比较器电路（10）包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）和第五MOS管（M5），其中：

所述第一MOS管（M1）的源极连接到所述第二MOS管（M2）的源极，并且连接到所述第五MOS管（M5）的漏极；

所述第一MOS管（M1）的栅极连接到所述比较器电路（10）的第一输入端（inp），漏极连接到所述第三MOS管（M3）的漏极；

所述第三MOS管（M3）的源极连接到所述系统电源（VDD），栅极连接到所述第四MOS管（M4）的栅极并且连接到所述第三MOS管（M3）的漏极；

所述第四MOS管（M4）的源极连接到所述系统电源（VDD），漏极连接到所述第二MOS管（M2）的漏极并且连接到所述比较器电路（10）的输出端（OUT）；

所述第二MOS管（M2）的栅极连接到所述比较器电路（10）的第二输入端（inn）；

所述第五MOS管（M5）的源极接地。

7.一种红外焦平面阵列读出电路，其特征在于：包括如权利要求1至6中任意一项所述的比较器。