[发明专利]铸锭炉及制备硅锭的方法

权利要求书

1.一种铸锭炉，其特征在于，所述铸锭炉包括：

坩埚（1）；

石墨块（2），设置于所述坩埚（1）的底部，所述石墨块（2）为横截面不变的扁柱体；

底部隔热垫（3），所述底部隔热垫（3）包括隔热垫本体（31）和周向隔热部，所述隔热垫本体（31）设置于所述石墨块（2）的下方，所述周向隔热部从所述隔热垫本体（31）的上表面向上延伸并沿所述隔热垫本体（31）的周向设置。

2.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述周向隔热部为封闭的凸缘（32），所述凸缘（32）的顶端与所述隔热垫本体（31）的上表面的距离大于等于2cm且小于等于3cm。

3.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述隔热垫本体（31）和所述周向隔热部一体成型。

4.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述石墨块（2）的横截面为矩形截面。

5.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述坩埚（1）的内表面设置有氮化硅涂层。

6.根据权利要求5所述的铸锭炉，其特征在于，所述氮化硅涂层由氮化硅混合液喷涂形成，所述氮化硅混合液中氮化硅与水的比例为650g：2800ml。

7.根据权利要求1所述的铸锭炉，其特征在于，所述底部隔热垫（3）的厚度为大于等于40mm且小于等于60mm。

8.一种制备硅锭的方法，其特征在于，所述方法采用根据权利要求1至7中任一项所述的铸锭炉制备多晶硅锭。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

装料步骤，在所述坩埚（1）内铺设硅料，包括在所述坩埚（1）的最底部铺设小颗粒硅料层，之后在所述小颗粒硅料层上铺设常规粒径的硅料；

熔化步骤；

长晶步骤。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述小颗粒硅料层的硅料的颗粒直径小于等于6mm。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述小颗粒硅料层的高度大于等于3cm且小于等于5cm。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述熔化步骤还包括控制所述小颗粒硅料层的未熔化的硅料的剩余高度为大于等于3mm且小于等于18mm。

13.根据权利要求9至11中任一项所述的方法，其特征在于，所述长晶步骤还包括控制晶段生长的速度范围为10mm/h至15mm/h。