[发明专利]光掩模制造方法

说明书

本发明提供一种光掩模制造方法。根据本发明的方法，首先，采用包含曝光及蚀刻等在内的工艺来形成待检光掩模；随后，在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补，当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除，并当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。本发明能有效消除孤立且巨大之缺陷，提高光掩模的生产良率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种光掩模制造方法。

背景技术

半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，例如，在半导体基底的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形等。光刻工艺需要一整套（几块多至十几块）相互间能精确套准的、具有特定几何图形的光掩模。光掩模是光刻工艺中复印光致抗蚀掩蔽层的“印相底片”，因此，光掩模版质量的优劣直接影响光刻工艺的质量，从而影响半导体器件或集成电路的电学性能、可靠性和芯片成品率。随着大规模集成电路工艺技术的迅速发展，对光掩模的质量，包括各种掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了极高的要求。

由于光掩模的质量是影响集成电路功能和芯片成品率的重要因素之一。为保证光掩模的质量，必须对光掩模的缺陷密度、精度及图形质量等进行严格的控制，如图1所示，其为现有光掩模制造流程。

首先，采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模后，对该待检光掩模进行清洗，随后再进行图形检查以确定该待检光掩模是否合格，如果合格则送入贴膜机进行贴膜后出货，否则进一步判断是否可以采用修补设备进行修补，如果可以采用修补设备修补则对该待检光掩模进行修补，并于修补后再进行清洗，并再次进行图案检查，如果判断是不可采用修补设备修补，则将该待检光掩模废弃。

由于判断缺陷是否可修补是基于修补设备来确定，若待检光掩模存在超出修补设备能力之外的缺陷，则该待检光掩模会被废弃。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模制造方法，以消除光掩模中孤立巨大的缺陷。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模制造方法，其至少包括：

1）采用包含曝光及蚀刻在内的工艺来形成待检光掩模；

2）在待检光掩模经过清洗后，进行图案检查以确定所述待检光掩模是否能采用修补设备进行修补；

3）当确定所述待检光掩模采用修补设备已无法修补时，基于缺陷的相关信息来判断缺陷是否能通过再加工来消除；

4）当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷，并于检验合格后进行贴膜处理。

优选地，当确定缺陷能通过再加工消除时，基于缺陷的位置对所述待检光掩模重新进行加工处理以消除相应缺陷后，并于清洗后再次进行图案检查。

优选地，所述光掩模制造方法还包括：当确定所述待检光掩模需要修补时，则采用相应修补设备来修补所述待检光掩模，并于清洗后再次进行图案检查。

优选地，所述缺陷的相关信息包括缺陷的尺寸及缺陷与相邻图案区域是否相连；更为优选地，当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域不相连，则判断缺陷能能通过再加工来消除；更进一步地，当缺陷的尺寸超过30微米且与相邻图案区域有10微米以上间隔，则判断缺陷能通过再加工来消除。

如上所述，本发明的光掩模制造方法，具有以下有益效果：能有效消除光掩模中孤立巨大的缺陷，进而提高光掩模的产品良率。

附图说明

图1显示为现有技术中的光掩模制造方法流程图。