[发明专利]集成摆率增强电路的低压差线性稳压器

权利要求书

1.集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，包括基准电压源、误差放大器、电源电压输入端、调整管及电阻反馈电路，其特征在于，还包括摆率增强电路及补偿电容，所述误差放大器的反相输入端与基准电压源连接，正相输入端与电阻反馈电路连接，输出端与摆率增强电路的输入端连接，摆率增强电路的输出端与调整管的栅极连接，调整管的漏极为输出端，并与电阻反馈电路连接，调整管的源极与电源电压输入端连接，补偿电容的一端与误差放大器的正相输入端连接，补偿电容的另一端与输出端连接。

2.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，所述误差放大器包括偏置电压输入端、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极与偏置电压输入端连接，其源极与电源电压输入端连接，第二PMOS管的栅极为误差放大器的正相输入端，其源极与第一PMOS管的漏极连接，并与第三PMOS管的源极连接，第三PMOS管的栅极为误差放大器的反相输入端，第一NMOS管的栅极与其自身的漏极连接，并与第二PMOS管的漏极连接，且与第二NMOS管的栅极连接，第一NMOS管的源极与地连接，第二NMOS管的漏极与第三PMOS管的漏极连接，并作为误差放大器的输出端，第二NMOS管的源极与地连接。

3.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，所述摆率增强电路包括偏置电压输入端、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管及第六NMOS管，所述第四PMOS管的栅极为摆率增强电路的输入端，与误差放大器的输出端连接，其源极与第六PMOS管的栅极及第五PMOS管的漏极连接，并作为摆率增强电路的输出端与调整管的栅极连接，第五PMOS管的栅极与第四PMOS管的漏极连接，并与第四NMOS管的漏极及第五NMOS管的漏极连接，第七PMOS管的栅极与偏置电压输入端连接，其漏极与第三NMOS管的漏极连接，并与第三NMOS管的栅极及第四NMOS管的栅极连接，第六PMOS管的漏极与第六NMOS管的漏极连接，并与第五NMOS管的栅极及第六NMOS管的栅极连接，第七PMOS管的源极、第五PMOS管的源极及第六PMOS管的源极都与电源电压输入端连接，第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极、第五NMOS管的源极及第六NMOS管的源极都与地线连接。

4.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，所述电阻反馈电路包括第一电阻及第二电阻，第一电阻的一端与第二电阻的一端连接，并与误差放大器的正相输入端连接，第一电阻的另一端与输出端连接，第二电阻的另一端与地线连接。

5.如权利要求1所述的集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，所述调整管为PMOS管。

6.如权利要求1或2或3或4或5所述的集成摆率增强电路的低压差线性稳压器，其特征在于，还包括片外电容，所述片外电容的一端与输出端连接，另一端与地线连接，该片外电容的寄生电阻小于50mΩ，该片外电容的电容值大于1uF。