[发明专利]一种化学机械抛光用液

说明书

技术领域

本发明涉及化工产品的技术领域，具体地说是一种化学机械抛光用液。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械研磨(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械研磨(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械研磨时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。但目前配方合理的抛光用液很少，不能满足使用者的需要。

发明内容

本发明的目的是提供一种配方合理，效果理想的化学机械抛光用液。

本发明采用的技术方案是，一种化学机械抛光用液，由以下组分按重量百分比组成：氧化硅磨料10-50%，表面活性剂0.1-8%，螯合剂0.1-8%，氢氧化钠1-2%，余量为去离子水。

进一步地说，所述表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。

进一步地说，螯合剂采用胺盐、柠檬酸铵乙二胺四乙酸铵中的一种。

进一步地说，所述抛光用液的pH值为1-6。

本发明优点是配方合理，满足使用者需要，效果理想。

具体实施方式

本发明结合以下实施例作进一步描述。

实施例1，一种化学机械抛光用液，由以下组分按重量百分比组成：氧化硅磨料10%，表面活性剂8%，螯合剂8%，氢氧化钠2%，余量为去离子水。所述表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。螯合剂采用胺盐、柠檬酸铵乙二胺四乙酸铵中的一种。所述抛光用液的pH值为1-6。

实施例2，一种化学机械抛光用液，由以下组分按重量百分比组成：氧化硅磨料30%，表面活性剂4%，螯合剂4%，氢氧化钠1.5%，余量为去离子水。所述表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。螯合剂采用胺盐、柠檬酸铵乙二胺四乙酸铵中的一种。所述抛光用液的pH值为1-6。

实施例3，一种化学机械抛光用液，由以下组分按重量百分比组成：氧化硅磨料50%，表面活性剂0.1%，螯合剂0.1%，氢氧化钠1%，余量为去离子水。所述表面活性剂采用无金属离子的脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或阴离子聚丙烯酸盐中的一种。螯合剂采用胺盐、柠檬酸铵乙二胺四乙酸铵中的一种。所述抛光用液的pH值为1-6。

应理解，该实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外，应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。