[发明专利]CMOS TDI图像传感器及其电荷转移控制方法

权利要求书

1.一种CMOS TDI图像传感器，其特征在于包括基板（11），制作于基板（11）上的N列半导体带（13），制作于基板（11）上并将各列半导体带（13）隔离的绝缘隔离带（14）；M行多晶硅栅极（15），时序产生电路（12），读出电路（17）；所述M行多晶硅栅极（15）制作于半导体带（13）和隔离带（14）上，且多晶硅栅极（15）与半导体带（13）之间由绝缘介质（16）隔离；每个多晶硅栅极（15）与半导体带（13）交叠的部分及两者中间的绝缘介质（16）构成一个电荷收集单元（18），每列半导体带（13）整体构成一个电荷转移通道；M行多晶硅栅极（15）分别与时序产生电路（12）连接，N列半导体带（13）与读出电路（17）连接。 

2.根据权利要求1所述的CMOS TDI图像传感器，其特征在于还包括开关网络，所述开关网络由连接于各列半导体带（13）输出之间的开关构成。 

3.一种如权利要求2所述CMOS TDI图像传感器的电荷转移控制方法，其特征在于： 

通过外部寄存器控制静态电路选择开关网络的第n×p个开关断开，其余开关闭合，此时第n×p～（n-1）×p列由半导体带(13）构成的电荷转移通道合并；通过时序产生电路(12）控制各行多晶硅栅极(15）电压高低电平的变化，可调整电荷收集单元(18）的合并数量，使得每隔一个相等的时间间隔，电荷收集区域的面积从nxm变为nxi或从nxi变为nxm；每隔两个相等的时间间隔，电荷收集区域沿电荷移动方向移动m-i行；其中n为水平电荷收集单元(18）的合并个数，m、i为垂直电荷收集单元(18）的合并个数，n、m、i、p为自然数，n×p小于等于N，i小于m，且m小于M；各电荷收集单元(18）每次曝光产生并收集的电荷通过各电荷转移通道累加转移，最后经读出电路(17）叠加和处理后输出。 

4.根据权利要求3所述的CMOS TDI图像传感器的电荷转移控制方法，其 特征在于n=3,m=2。 

5.根据权利要求3所述的CMOS TDI图像传感器的电荷转移控制方法，其特征在于n=4,m=3，i=1或i=2。