[发明专利]一种硫代钨酸盐发光薄膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 201310348185.0 | 申请日： | 2013-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN104342136A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;张振华 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/68 | 分类号： | C09K11/68;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫代钨酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种硫代钨酸盐发光薄膜，其特征在于，结构式为MeW2S8：xCe3+，其中Me为锌、镁、钙、锶或钡，x的取值范围为0.01～0.05。
2.如权利要求1所述的硫代钨酸盐发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.02。
3.如权利要求1所述的硫代钨酸盐发光薄膜，其特征在于，所述发光薄膜的厚度为45～350nm。
4.一种硫代钨酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照摩尔比(1-x):2:x称取MeS、WS3和CeS2粉体并混合，然后在900～1300℃下烧结，制成靶材；
将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备中，抽真空至1.0×10-3～1.0×10-5Pa；
调整磁控溅射镀膜工艺参数为基靶间距50～100mm，衬底温度250～750℃，工作气体为氢气和氩气的混合气体，气体流量为15～30sccm，工作压强为0.2～4.5Pa，接着进行制膜，得到薄膜样品；
将所述薄膜样品于500～800℃下退火处理1～3小时，得到结构式为MeW2S8：xCe3+的所述硫代钨酸盐发光薄膜，其中Me为锌、镁、钙、锶或钡，x的取值范围为0.01～0.05。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述x的取值为0.02。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，氢气和氩气的混合气体中氢气的含量为1%～15%。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为1250℃。
8.一种薄膜电致发光器件，包括衬底、阳极、发光层和阴极，其特征在于，所述发光层为硫代钨酸盐发光薄膜，所述硫代钨酸盐发光薄膜的结构式为MeW2S8：xCe3+，其中Me为锌、镁、钙、锶或钡，x的取值范围为0.01～0.05。
9.如权利要求8所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述x的取值为0.02。
10.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
按照摩尔比(1-x):2:x称取MeS、WS3和CeS2粉体并混合，然后在900～1300℃下烧结，制成靶材；
将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备中，抽真空至1.0×10-3～1.0×10-5Pa；
调整磁控溅射镀膜工艺参数为基靶间距50～100mm，衬底温度250～750℃，工作气体为氢气和氩气的混合气体，气体流量为15～30sccm，工作压强为0.2～4.5Pa，接着进行制膜，得到薄膜样品；
将所述薄膜样品于500～800℃下退火处理1～3小时，得到结构式为MeW2S8：xCe3+的所述硫代钨酸盐发光薄膜，其中Me为锌、镁、钙、锶或钡，x的取值范围为0.01～0.05；
在所述发光薄膜上蒸镀阴极；
以上步骤完成后得到所述薄膜电致发光器件。
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