[发明专利]形成图案的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制作工艺，且特别是涉及一种形成图案的方法。

背景技术

随着半导体组件堆积密度的增加，制造组件关键尺寸（CD）的要求也愈来愈严苛。为能制作出小尺寸的组件，利用先进的光刻技术来进行图案化是必然的趋势。然而，如果所有的光刻制作工艺都通过先进的光刻技术来执行，不但必须耗费高额的购置新机台的成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种形成图案的方法，可以将较为低阶的旧机台再利用，结合先进光刻技术来形成所需的图案。

本发明的再一目的在于提供一种形成图案的方法，可以减少制造的成本。

为达上述目的，本发明提出一种形成图案的方法。首先，提供N种不同的光掩模图案。然后，以至少N-1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N-1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。

依照本发明一实施例，上述至少N-1种不同波长的光源之另一为波长为436nm（G线）的光源、波长为365nm（I线）的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源，N为大于等于3的整数。

依照本发明一实施例，上述硬掩模图案具有至少N-1种不同线宽的图案。

依照本发明一实施例，上述硬掩模图案包括第一硬掩模图案与第二硬掩模图案，其中所述第一硬掩模图案的尺寸小于所述第二硬掩模图案的尺寸。

依照本发明一实施例，上述形成图案的方法还包括在所述硬掩模层上形成一牺牲层，其中所述第一硬掩模图案的形成方法包括：以第一光掩模以及第一光源在所述牺牲层上形成第一图案化的掩模层，其中所述第一光源为波长是193nm的光源；进行第一蚀刻制作工艺，将第一图案化的掩模层的图案转移到所述牺牲层，以形成至少一轴心图案；在所述轴心图案周围形成一间隙壁回路；移除所述轴心图案；以第二光掩模以及第二光源形成第二图案化的掩模层，所述第二图案化的掩模层具有开口，裸露出所述轴心图案末端处的部分所述间隙壁回路；以所述第二图案化的掩模层为掩模，进行第二蚀刻制作工艺，切断所述间隙壁回路，以形成多数个间隙壁；以及，以所述间隙壁为掩模，对所述硬掩模层进行第三蚀刻制作工艺，以形成所述第一硬掩模图案。

依照本发明一实施例，上述第二硬掩模图案的形成方法包括：以第三光掩模与第三光源在所述硬掩模层上形成第三图案化的掩模层；以及，以所述第三图案化的掩模层为掩模，对所述硬掩模层进行所述第三蚀刻制作工艺，以形成所述第二硬掩模图案。

依照本发明一实施例，形成所述第三图案化的掩模层的步骤在所述第二蚀刻制作工艺之后进行。

依照本发明一实施例，形成所述第三图案化的掩模层的步骤在形成所述第二图案化的掩模层之前进行。

依照本发明一实施例，上述第二硬掩模图案与第一硬掩模图案相邻且接触。

依照本发明一实施例，上述硬掩模图案还包括第三硬掩模图案，所述第三硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。

依照本发明一实施例，上述第二硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。

依照本发明一实施例，上述形成图案的方法还包括以所述硬掩模图案为掩模，将所述硬掩模图案下方的材料层图案化。

本发明另提出一种形成图案的方法。首先，将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案。然后，以第一光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的轴心图案，并以至少一第二光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案，其中所述的第一光源的波长小于所述第二光源的波长，所述第一光源与所述第二光源的其中之一为波长是193nm的光源。

依照本发明一实施例，所述第一光源与所述第二光源的其中之另一为波长为436nm（G线）的光源、波长为365nm（I线）的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源。

本发明又提出一种形成图案的方法。首先，将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案。然后，以湿式193nm光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的轴心图案，并以至少一干式光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案。

依照本发明一实施例，所述干式光源为干式193nm光源、干式435nm光源、干式365nm光源或干式248nm光源。

基于上述，本发明实施例的形成图案的方法，可以将旧的机台再利用，结合先进光刻技术来形成所需的图案，减少制造的成本。