[发明专利]形成图案的方法

权利要求书

1.一种形成图案的方法，其特征在于包括:

提供N种不同的光掩模图案；以及

以至少N-1种不同波长的光源，将所述N种不同的光掩模图案转移到硬掩模层上，形成硬掩模图案，其中所述至少N-1种不同波长的光源之一为波长是193nm的光源，且N为大于等于3的整数。

2.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述至少N-1种不同波长的光源的另一为波长为436nm的光源、波长为365nm的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源。

3.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述硬掩模图案具有至少N-1种不同线宽的图案。

4.如权利要求1所述的形成图案的方法，其中所述硬掩模图案包括第一硬掩模图案与第二硬掩模图案，其中所述第一硬掩模图案的尺寸小于所述第二硬掩模图案的尺寸。

5.如权利要求4所述的形成图案的方法，还包括在所述硬掩模层上形成一牺牲层，其中所述第一硬掩模图案的形成方法包括：

以第一光掩模以及一第一光源在所述牺牲层上形成第一图案化的掩模层，其中所述第一光源为波长是193nm的光源；

进行第一蚀刻制作工艺，将第一图案化的掩模层的图案转移到所述牺牲层，以形成至少一轴心图案；

在所述轴心图案周围形成间隙壁回路；

移除所述轴心图案；

以第二光掩模以及第二光源形成第二图案化的掩模层，所述第二图案化的掩模层具有一开口，裸露出所述轴心图案末端处的部分所述间隙壁回路；

以所述第二图案化的掩模层为掩模，进行第二蚀刻制作工艺，切断所述间隙壁回路，以形成多数个间隙壁；以及

以所述间隙壁为掩模，对所述硬掩模层进行第三蚀刻制作工艺，以形成所述第一硬掩模图案。

6.如权利要求5所述的形成图案的方法，其中所述第二硬掩模图案的形成方法包括：

以第三光掩模与第三光源在所述硬掩模层上形成第三图案化的掩模层；以及

以所述第三图案化的掩模层为掩模，对所述硬掩模层进行所述第三蚀刻制作工艺，以形成所述第二硬掩模图案。

7.如权利要求6所述的形成图案的方法，其中形成所述第三图案化的掩模层的步骤在所述第二蚀刻制作工艺之后进行。

8.如权利要求6所述的形成图案的方法，其中形成所述第三图案化的掩模层的步骤在形成所述第二图案化的掩模层之前进行。

9.如权利要求4所述的形成图案的方法，其中所述第二硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相邻且接触。

10.如权利要求9所述的形成图案的方法，其中所述硬掩模图案还包括第三硬掩模图案，所述第三硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。

11.如权利要求4所述的形成图案的方法，其中所述第二硬掩模图案与所述第一硬掩模图案相隔一距离。

12.如权利要求1所述的形成图案的方法，还包括以所述硬掩模图案为掩模，将所述硬掩模图案下方的材料层图案化。

13.一种形成图案的方法，其特征在于包括:

将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案；以及

以第一光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的轴心图案，并以至少一第二光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案，其中所述的第一光源的波长小于所述第二光源的波长，所述第一光源与所述第二光源的其中之一为波长是193nm的光源。

14.如权利要求13所述的形成图案的方法，其中所述第一光源与所述第二光源的其中之另一为波长为436nm的光源、波长为365nm的光源、波长为248nm的光源或波长短于193nm的光源。

15.一种形成图案的方法，其特征在于包括:

将材料层的目标图案拆分成多数个局部图案；以及

以湿式193nm光源来形成所述局部图案中关键尺寸最小的第一局部图案之间的一轴心图案，并以至少一干式光源来形成所述局部图案中的至少一第二局部图案。

16.如权利要求15所述的形成图案的方法，其中所述干式光源为干式193nm光源、干式435nm光源、干式365nm光源或干式248nm光源。