[发明专利]电感耦合等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及电感耦合等离子体处理装置，具体涉及使得阻抗控制有效形成的电感耦合离子体的处理装置。

背景技术

电感耦合等离子体处理装置是在半导体以及显示器的制造工艺中的蚀刻工艺或蒸发工艺中使用的装置。与反应式离子蚀刻装置或电容耦合等离子体蚀刻装置相比，用于蚀刻工艺的电感耦合等离子体处理装置对金属的蚀刻效率相对突出。

但是，电感耦合等离子体处理装置对大面积基板上进行蚀刻时在使用上存在困难。通常，天线设置在电感耦合等离子体处理装置的真空腔室的上部。为了对大面积的基板进行有效的蚀刻，天线的配置和阻抗的控制是非常重要的技术要素。

另外，无论多么有效地布置天线，由于天线本身长而复杂的结构，难以有效地进行阻抗控制。为了对大面积基板进行蚀刻，需要按区域分别设置天线。

对更大面积的基板进行处理时，可以将这种螺旋形天线分别设置在多个不同区域，但是这种天线结构和用于处理大面积基板的阻抗控制存在更大的困难。

在先技术文献

韩国公开专利号第10-2010-0053253号，“电感耦合等离子体天线”

发明内容

本发明的目的是提供一种电感耦合等离子体处理装置，在多个源线圈上安装被个别控制的多个可变电容器，从而提高基板处理的均匀性。

根据本发明的耦合等离子体处理装置，其具备：腔室；位于所述腔室的上部的电介质窗以及安装在所述电介质窗的上侧的天线；天线支撑架，其支撑所述天线，且处于接地，所述天线具备：从电源延伸出的主干部；从所述主干部分支而成的多个第一总线圈；从所述第一总线圈的末端分支而成的至少一个第二总线圈；从所述第二总线圈分支成多个，且各末端与所述天线支撑架形成接地的源线圈。所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。

位于所述天线支撑架的上部的所述源线圈可以设置为，相邻的源线圈的电流方向相反。

所述第一总线圈上可以分别安装有第一总线圈可变电容器控制装置。

所述第一总线圈可变电容器控制装置可以设置在使各个所述第一总线圈侧的电感值相等的位置。

所述可变电容器控制装置可以包含：连接在所述天线上的可变电容器、自动旋转所述可变电容器的电机以及检测所述电机的旋转的外部编码器。

根据本发明的电感耦合等离子体处理，能够精密地控制连接在每个源线圈上调节阻抗的可变电容器的动作，从而能够有效地控制多个源线圈的阻抗，并且通过将多个可变电容器设置在源线圈的入口端和总线圈，从而能够精密地控制阻抗。

附图说明：

图1是根据本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的图。

图2是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置中，可变电容器控制装置设置在第二总线圈上的状态图。

图3是本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置中，可变电容器控制装置设置在第一总线圈和第二总线圈上的状态图。

图4是在本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置上，随着源线圈上设置的电容器的数量而变化的压降的说明图。

图5是本发明实施例的设置于电感耦合等离子体处理装置上的可变电容器控制装置的图。

附图标记：

200、天线  210、第一总线圈  220、第二总线圈  230、源线圈

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置的实施例。但是，本发明并不限定于下面公开的实施例，可以以各种形式实现，下面说明的实施例只是用于充分公开本发明，以便本领域的技术人员充分了解发明的保护范围。

图1是根据本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的图，图2是根据本发明实施例的电感耦合等离子体处理装置的源线圈的入口端（Inlet portion）上设置可变电容器控制装置的状态图。

如图1和图2所示，本发明的电感耦合等离子体处理装置具备腔室10，该腔室10具备闸门14，并设置有排气孔11以将工艺空间内部抽成真空状态。腔室10内部设置有安装基板（晶片或者大小多样的透明的基板）的工作台12。工作台12的上面设置有卡紧基板的静电卡盘13。

腔室10上部设置有电介质窗15，电介质窗15的上部安装有形成天线设置部16的天线支撑架17。该天线支撑架17处于接地状态。天线支撑架17的上部设置天线200。天线200的上部设置射频电源30。