[发明专利]一种难降解有机化工废水深度氧化处理方法及装置有效
申请号: | 201310342677.9 | 申请日: | 2013-08-07 |
公开(公告)号: | CN103708657A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 秦树林;周如禄;龚梦锡;王忠泉 | 申请(专利权)人: | 煤科集团杭州环保研究院有限公司 |
主分类号: | C02F9/06 | 分类号: | C02F9/06 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 311201 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降解 有机化工 废水 深度 氧化 处理 方法 装置 | ||
1. 一种难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:包括依次管路连接的酸化除菌池、一级强化电化学反应器、二级强化电化学反应器、一级多相催化氧化反应器、二级多相催化氧化反应器,酸化除菌池与一级强化电化学反应器之间的连接管路上设有提升泵,二级多相催化氧化反应器与出水管相连;一级强化电化学反应器、二级强化电化学反应器、一级多相催化氧化反应器、二级多相催化氧化反应器内均安装有与曝气主管道相连通的曝气管路;一级强化电化学反应器和二级强化电化学反应器内部均设有微电解填料层;一级强化电化学反应器、二级强化电化学反应器、一级多相催化氧化反应器、二级多相催化氧化反应器内部均设置有出水堰且各出水堰的高度依次递减。
2. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:所述酸化除菌池内设置下通隔板和曝气管,酸化除菌池内下通隔板的一侧设置酸投加装置,下通隔板的另一侧与提升泵相邻的一端设有pH控制仪。
3. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:一级强化电化学反应器和二级强化电化学反应器的内部结构相同,一级多相催化氧化反应器和二级多相催化氧化反应器的内部结构相同。
4. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:微电解填料层的上方设有填料投加柱,填料投加柱为上下开口的筒体,填料投加柱的顶部位于一级强化电化学反应器封头的上方。
5. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:所述的曝气管路在各反应器内呈环形分布。
6. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:一级强化电化学反应器与二级强化电化学反应器之间的连接管路上按先后顺序设置自动酸加药装置和pH控制仪;二级强化电化学反应器与一级多相催化氧化反应器之间的连接管路上按先后顺序设置自动酸加药装置、双氧水投加装置和pH控制仪;一级多相催化氧化反应器与二级多相催化氧化反应器之间的连接管路上按先后顺序设置自动酸加药装置、双氧水投加装置和pH控制仪。
7. 根据权利要求1所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:一级多相催化氧化反应器、二级多相催化氧化反应器内自下而上均设置串联式三层紊流反应环——圆形紊流反应环、一级锥形紊流反应环、二级锥形紊流反应环。
8. 根据权利要求7所述的难降解有机化工废水深度氧化处理装置,其特征在于:圆形紊流反应环开孔直径50mm,径向开孔率5%,一级和二级锥形紊流反应环下端开回流孔,孔口直径为200mm-500mm;每级多相催化氧化反应器内的一级和二级锥形紊流反应环的开孔错位对开。
9. 一种难降解有机化工废水深度氧化处理工艺,其特征在于:该工艺采用如权利要求1所述的装置,难降解有机化工废水经二级生化处理后出水进入酸化除菌池内自动加酸调节pH值至2.5~4.0后泵入一级强化电化学反应器,废水自下而上通过微电解填料层,然后在一级强化电化学反应器的出水管道内加酸调节pH值到3.0~3.5,重力式流入二级强化电化学反应器,废水继续自下而上通过微电解填料层,在二级强化电化学反应器的出水管道上加入氧化剂后重力流入一级多相催化氧化反应器,废水经过一级多相催化氧化反应后在一级多相催化氧化反应器的出水管道上二次加入氧化剂后重力流入二级多相催化氧化反应器,进行二级多相催化氧化反应,出水再经后续常规的中和混凝沉淀进行泥水分离。
10. 根据权利要求9所述的难降解有机化工废水深度氧化处理工艺,其特征在于:所述的氧化剂为双氧水。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于煤科集团杭州环保研究院有限公司,未经煤科集团杭州环保研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310342677.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:微型双金属片式过热保护器
- 下一篇:半导体装置和半导体装置的设计方法