[发明专利]一种具有纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法无效
| 申请号： | 201310341462.5 | 申请日： | 2013-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103398997A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 浦鹏;董明建 | 申请（专利权）人： | 苏州扬清芯片科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纳米 圆锥形 sers 活性 快速 制备 方法 | ||
1.一种具有纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，所述纳米圆锥形SERS活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构，所述贵金属材料为银、铜和/或金。
2.按权利要求1所述的纳米圆锥形SERS活性基片，其特征在于，其制作步骤如下：
(1)将聚苯乙烯微球在基片表面单层平铺；
(2)对聚苯乙烯微球进行氧气等离子体刻蚀(RIE)，使得微球等比缩小；
(3)在聚苯乙烯修饰的基片表面蒸镀或溅射贵金属薄膜；
(4)将基片放置于氢氟酸与双氧水混夜里刻蚀后，取出超声处理清除掉聚苯乙烯微球，得到纳米线阵列；
(5)将样品置于氢氧化钠碱液中刻蚀即得到纳米圆锥形硅阵列；
(6)在纳米圆锥形硅阵列表面做蒸镀或溅射金属，得到SERS活性基片。
3.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，在所述贵金属纳米锥体阵列结构中，纳米锥体根部直径约为150-200nm，纳米锥体长度为50-100nm。
4.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，聚苯乙烯微球的直径为50-500nm。
5.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，需要对聚苯乙烯微球进行RIE刻蚀。
6.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上。
7.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法， 其特征在于，所述贵金属膜层厚度为50-100nm，可以是金或银薄膜。
8.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，制备硅纳米线阵列所需刻蚀液为HF/H2O2/H2O(1∶5∶10)，刻蚀温度为20-40℃。
9.按权利要求1或2所述的纳米圆锥形SERS活性基片的快速制备方法，其特征在于，硅纳米刻蚀碱液的浓度为0.5-1mol/L，刻蚀时间为2-5分钟。
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