[发明专利]一种带球LED封装上模成型工艺及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子芯片加工行业中的一种工艺，尤其是涉及一种带球LED封装上模成型工艺及其封装方法。

背景技术

LED(发光二极管)封装技术是指对发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同，LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光，所以LED的封装对封装材料有特殊的要求，经过多年的发展，中国LED封装产业已趋于成熟，国内LED封装产业规模不断扩大。

大功率LED封装由于结构和工艺较为复杂，能够直接影响到LED的使用性能和寿命，LED封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性；2.加强散热，以降低芯片结温，提高LED性能；3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等，然而，目前使用的封装模具加工工艺不成熟，经常导致模具与支架结合不严密，灌胶时产生气泡，产品质量无法保证，开始灌胶时还要对支架进行预热，多了一步操作工序，增加了产品的生产时间，不符合企业降低产品的生产成本的要求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种结合严密、保证产品质量并且节省生产时间的带球LED封装上模成型工艺及其封装方法。

本发明解决其技术问题所采取的技术方案是：一种带球LED封装上模成型工艺，该上模的成型工艺步骤为：

S1：首先，准备原料通过铣床铣出长方体上模；

S2：对上模进行铣削加工，并留有加工余量；

S3：对铣后的上模表面进行热处理；

S4：经过热处理之后的上模进行深冷处理；

S5：对长方体上模的六面进行磨削并保证其形位精度，上下表面留有加工余量；

S6：将加工后的上模进行EDM放电处理；

S7：采用打磨工具和钻石膏对上模凹腔进行抛光；

S8：采用磨床对上模进行整修；

S9：抛光整个上模平面；

其中若加工的凹腔直径在3mm以上，在步骤S2处进行粗铣加工凹腔；若加工的凹腔直径在3mm以下，在步骤S6处通过EDM放电加工凹腔。

进一步具体的，所述的上模采用的材料为ASSAB-88。

进一步具体的，所述的步骤S3中热处理的硬度为58～62HRC。

进一步具体的，所述的步骤S4中深冷处理的温度为-200～-150℃。

进一步的优选方案是：所述的步骤S4中深冷处理的温度为-180℃。

进一步具体的，所述步骤S6中EDM放电处理，首先对上模粗放电加工，之后对上模精修放电加工。

进一步具体的，所述的步骤S7中若抛光为粗抛时，打磨工具采用的是木棒；若抛光为精抛时，打磨工具采用的是羊毛毡。

一种采用上述封装上模的带球LED的封装方法，所述封装方法的步骤为：

D1：准备上模和下模，上模安装到工作区待用，下模设有与待封装LED支架的下部形状对应的定位装置；

D2：将LED支架固定在下模上并同时将下模运送到工作区；

D3：上模、下模合模，压紧LED支架并同时抽真空；

D4：在LED支架与凹腔内注入封装用胶，同时加热烘烤，加快封装用胶固化；

D5：上模、下模开模，取出封装好的LED支架。

进一步具体的，所述的步骤D4中加热温度为120～160℃，烘烤的时间为120～150秒。

进一步具体的，所述封装用胶为硅胶时，其加热温度为120-130℃；所述封装用胶为透明树脂时，其加热温度为155-160℃。

本发明的有益效果是：采用了上述上模的成型工艺以及封装方法之后，在合模的时候能够压紧，灌胶之后不会发生漏胶现象，不会出现气泡；在使用的时候不需要对支架进行预热，减少了封装过程中的一步工序，整个上模能够保证精度，工序简单合理，生产效率高。

附图说明

图1是本发明上模的成型工艺流程示意图；

图2是本发明封装方法的流程示意图；

图3是本发明上模的结构示意图。

图中：1、凹腔；   2、固定孔。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

如图1所示一种带球LED封装上模成型工艺，该上模的成型工艺步骤为：