[发明专利]高分子材料与其制备方法及触控面板

说明书

技术领域

本发明是关于高分子材料，更特别关其制备方法及在触控面板的应用。 

背景技术

导电高分子如聚噻吩及其衍生物如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)具有优异的物理及化学性质、低成本、与泛用前景，因此吸引广泛注意。PEDOT与聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PSS)之混掺物(PEDOT:PSS)所形成的薄膜具有可见光的高透光率(90%)、高导电性(1000S·cm)、气敏性、与温敏性(PEDOT:PSS薄膜在243K至343K之间的平均电阻温度系数可达-0.2%/℃)。然而PEDOT:PSS薄膜的电阻温度系数较差。举例来说，PEDOT:PSS薄膜在人类体温(约310K)的电阻温度系数只介于-0.2%/℃至-0.3%/℃之间，如第1图所示。 

发明内容

现有PEDOT:PSS薄膜在人类体温(约310K)的电阻温度系数只介于-0.2%/℃至-0.3%/℃之间。 

本发明一实施例提供一种高分子材料，包括：第一聚合物，系由N-(R)丙烯酰胺与4-苯乙烯磺酸盐共聚而成，其中R系C1-12烷基或C1-12烷氧基；以及第二聚合物，系由3,4-乙烯二氧噻吩聚合而成，其中第一聚合物系掺杂于第二聚合物中。 

本发明一实施例提供一种触控面板，包括：基板；以及热敏性电极图案，位于基板上，其中热敏性电极图案包括上述之高分子材料。 

本发明一实施例提供一种高分子材料的制备方法，包括：自由基共聚N-(R)丙烯酰胺与4-苯乙烯磺酸盐以形成第一聚合物，其中R系C1-12烷基或C1-12烷氧基；将3,4-乙烯二氧噻吩加入第一聚合物中；以及聚合3,4-乙烯二氧噻吩以形成第二聚合物，并形成第一聚合物掺杂第二聚合物之高分子材料。 

本发明一实施例提供一种高分子材料，包括：第一聚合物，系由N-(R)丙烯酰胺与4-苯乙烯磺酸盐共聚而成，其中R系C1-12烷基或C1-12烷氧基。 

本发明之高分子材料薄膜在人类体温(～310K)的电阻温度系数介于-0.35%/℃至-0.6%/℃之间，可改善现有PEDOT:PSS薄膜在人类体温的电阻温度系数不足的问题。 

附图说明

图1是PEDOT:PSS分散液制备之薄膜的电阻-温度曲线； 

图2是本发明一实施例中，SS与NIP之聚合物的IR光谱； 

图3是本发明一实施例中，SS与NIP之聚合物、NIP单体、与PEDOT:PSS分散液的IR光谱比较图； 

图4是本发明一实施例中，以高分子材料制备之薄膜的电阻-温度曲线； 

图5是本发明一实施例中，以高分子材料制备之薄膜的电阻-温度曲线； 

图6是本发明一实施例中，以高分子材料制备之薄膜的电阻-温度曲线； 

图7是本发明一实施例中，以高分子材料制备之薄膜的电阻-温度曲线；以及 

图8是本发明一实施例中，以高分子材料制备之薄膜的电阻-温度曲线。 

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。 

本发明一实施例提供一种高分子的制备方法。首先，以自由基聚合机制使N-(R)丙烯酰胺与4-苯乙烯磺酸盐(SS)共聚形成聚合物1，如式1所示。 

在式1中，R为直链、支链、或环状(具有低立体障碍)的C1-12烷基或C1-12烷氧基。举例来说，R可为甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第三丁基、正戊基、异戊基、新戊基、月桂基、或上述之衍生物。此外，R可为甲氧基、乙氧基、丙氧基、异戊氧基、或上述之衍生物。M可为一价金属离子如钠离子或钾离子。单体的重复数目m与n之间的比例(即N-(R)丙烯酰胺与SS的莫耳比例)介于0.01:1至1.2:1之间(0.01:1≦m/n≦1.2:1)，并且聚合物1之重均分子量介于14,000至500,000之间。此外，自由基聚合采用之起始剂可为偶氮化合物如偶氮二异丁腈(AIBN)、偶氮二异丁腈(ABVN)、或类似物；过氧化合物如过二硫酸钾、过氧化二苯甲酰(BPO)、过硫酸铵(APS)、或类似物；或氧化还原系统如过硫酸氨/亚硫酸氢钠或类似物。