[发明专利]一种NAND闪存存储设备及其数据恢复方法有效

专利信息
申请号: 201310332735.X 申请日: 2013-08-02
公开(公告)号: CN103365739A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 楚一兵 申请(专利权)人: 深圳市瑞耐斯技术有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 陈健
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 nand 闪存 存储 设备 及其 数据 恢复 方法
【权利要求书】:

1.一种NAND闪存存储设备的数据恢复方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:NAND闪存存储设备设置若干个通道,每个通道内设置若干个NAND闪存;所述通道包括数据通道和保护通道,所述数据通道用于存储数据,所述保护通道用于存储检验码,所述数据通道的个数大于或等于所述保护通道的个数;

步骤2:采用错误检测/错误纠正的算法对所述数据通道的数据进行恢复;

步骤3:在所述步骤2失效时,采用通道间异或算法对所述数据通道的数据进行恢复。

2.根据权利要求1所述的NAND闪存存储设备的数据恢复方法,其特征在于,所述数据通道的NAND闪存为单阶存储单元或多阶存储单元。

3.根据权利要求1所述的NAND闪存存储设备的数据恢复方法,其特征在于,所述步骤3中通道间异或算法包括以下步骤:

步骤31:设其中一组数据通道为A1、A2、……、An,该组数据通道所对应的保护通道为PA、QA、……、XA,其中数据通道的个数为n,保护通道的个数为m,n≥m;

步骤32:所述保护通道采用的计算公式为pa=a1+a2+……+an,qa=(2k1×a1)+(2k2×a2)+……+(2kn×an),……,xa=(2l1×a1)+(2l2×a2)+……+(2ln×an),其中,k1、k2、……、kn、……、l1、l2、……、ln均为整数,a1为数据通道1中标记为A1的NAND闪存中存储的数据,a2为数据通道2中标记为A2的NAND闪存中存储的数据,an为数据通道n中标记为An的NAND闪存中存储的数据,pa为保护通道n+1中标记为PA的NAND闪存中存储的数据,qa为保护通道n+2中标记为QA的NAND闪存中存储的数据,xa为保护通道n+m中标记为XA的NAND闪存中存储的数据,+为加法操作,×为乘法运算。

4.根据权利要求3所述的NAND闪存存储设备的数据恢复方法,其特征在于,所述加法操作用数字电路中的异或逻辑实现,幂指数中为2的整数幂时用移位运算实现。

5.一种NAND闪存存储设备,其特征在于,所述NAND闪存存储设备包括若干个通道、错误检测/错误纠正模块、异或逻辑电路模块和移位运算电路模块;所述通道包括数据通道和保护通道,所述数据通道用于存储数据,所述保护通道用于存储检验码,所述数据通道的个数大于或等于所述保护通道的个数;所述错误检测/错误纠正模块用于对所述数据通道的数据进行恢复;当所述错误检测/错误纠正模块失效时启动所述异或逻辑电路模块和所述移位运算电路模块进行通道间异或算法对所述数据通道的数据进行恢复,所述异或逻辑电路模块用于对通道中的数据执行加法运算,所述移位运算电路模块用于执行幂指数运算。

6.根据权利要求5所述的NAND闪存存储设备,其特征在于,将其中一组数据通道设为A1、A2、……、An,该组数据通道所对应的保护通道为PA、QA、……、XA,其中数据通道的个数为n,保护通道的个数为m,n≥m;

所述异或逻辑电路模块和所述移位运算电路模块一起进行如下运算对所述数据通道的数据进行保护,pa=a1+a2+……+an,qa=(2k1×a1)+(2k2×a2)+……+(2kn×an),……,xa=(2l1×a1)+(2l2×a2)+……+(2ln×an)其中,k1、k2、……、kn、……、l1、l2、……、ln均为整数,a1为数据通道1中标记为A1的NAND闪存中存储的数据,a2为数据通道2中标记为A2的NAND闪存中存储的数据,an为数据通道n中标记为An的NAND闪存中存储的数据,pa为保护通道n+1中标记为PA的NAND闪存中存储的数据,qa为保护通道n+2中标记为QA的NAND闪存中存储的数据,xa为保护通道n+m中标记为XA的NAND闪存中存储的数据,+为加法操作,×为乘法运算。

7.根据权利要求5所述的NAND闪存存储设备,其特征在于,所述数据通道的NAND闪存为单阶存储单元或多阶存储单元。

8.根据权利要求5所述的NAND闪存存储设备,其特征在于,所述通道包含若干NAND闪存。

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