[发明专利]亚微米级掩模版的制造方法有效
| 申请号： | 201310330563.2 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104345548B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘尧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/74 | 分类号： | G03F1/74 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微米 模版 制造 方法 | ||
1.一种亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成金属层；
通过聚焦离子束扫描在金属层上形成掩膜图形；
通过粘合层将第二基底固定在形成有掩膜图形的金属层的上面；
除去所述牺牲层和所述第一基底；
采用聚焦离子束从所述掩模图形的另一侧将残留的金属刻除干净。
2.如权利要求1所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述牺牲层采用光刻胶或者热熔胶。
3.如权利要求2所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度在100埃至1000埃之间。
4.如权利要求2所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的表面经过热处理。
5.如权利要求1所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度在500埃以上。
6.如权利要求5所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度在500埃至800埃之间。
7.如权利要求1所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述粘合层采用紫外固化光刻胶。
8.如权利要求7所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述粘合层的厚度在100埃至1000埃之间。
9.如权利要求1所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述第一基底为硅基底。
10.如权利要求1所述的亚微米级掩模版的制造方法，其特征在于，所述第二基底为石英基底。
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
