[发明专利]有机发光二极管像素电路及其驱动方法、显示装置有效
申请号: | 201310329850.1 | 申请日: | 2013-07-31 |
公开(公告)号: | CN103413524A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 周全国;祁小敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32;G06F3/041 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 像素 电路 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管像素电路,其特征在于,包括数据写入单元、驱动单元、有机发光二极管、第一控制单元、第二控制单元和触摸侦测单元;其中:
所述第一控制单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在扫描线的控制下将电源电压信号导入数据写入单元,并在有机发光二极管发光阶段将有机发光二极管和驱动单元导通;
所述数据写入单元用于在触摸侦测阶段和有机发光二极管发光阶段在第一发光控制线控制下导入电源电压信号,并在扫描线及第二发光控制线的控制下导入数据线电压信号,同时还用于为所述驱动单元提供电压;
所述触摸侦测单元用于在触摸侦测阶段在触摸信号电平控制线控制下感受触摸,并产生侦测信号;
所述驱动单元用于在触摸侦测阶段在触摸电平信号控制线的控制下将所述侦测信号转变为触控输出信号,并经触摸侦测单元将触控输出信号输出到驱动集成电路,同时驱动单元还用于在有机发光二极管发光阶段为所述有机发光二极管提供驱动电流;
所述第二控制单元用于在第三发光控制线的控制下在有机发光二极管发光阶段将所述驱动单元与接地电平导通。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述有机发光二极管的阳极与电源连接。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括:第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、存储电容和第一电容;其中,
所述第一薄膜晶体管的栅极与第一发光控制线连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述存储电容的第二端连接;
所述第三薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接,所述第三薄膜晶体管的源极与数据信号线连接,所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述存储电容的第一端;
所述第五薄膜晶体管的栅极与第二发光控制线连接,所述第五薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接,所述第五薄膜晶体管的漏极与所述驱动单元连接;
所述第一电容的第一端与存储电容的第一端连接,所述第一电容的第二端接地。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述第一控制单元包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的栅极与扫描信号线连接,源极与所述有机发光二极管的阴极连接,漏极与所述数据写入单元中的第一薄膜晶体管的源极连接。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述驱动单元包括第四薄膜晶体管,所述第四薄膜晶体管的栅极与所述存储电容第二端和所述数据写入单元的第一薄膜晶体管的漏极连接,所述第四薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的漏极连接。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述第二控制单元包括第六薄膜晶体管,第六薄膜晶体管的漏极接地,第六薄膜晶体管的栅极与第三发光控制线连接,第六薄膜晶体管的源极与所述数据写入单元中的所述第五薄膜晶体管的漏极连接。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管像素电路,其特征在于,所述触摸侦测单元包括光电二极管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管,其中:
所述光电二极管的阴极与所述第四薄膜晶体管的栅极连接,同时与所述数据写入单元中的所述存储电容的第二端的连接,所述光电二极管的阳极与所述第七薄膜晶体管的源极连接;
所述第七薄膜晶体管的漏极接地,所述第七薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接;
所述第八薄膜晶体管的源极与所述第四薄膜晶体管的漏极连接,所述第八薄膜晶体管的漏极与传感器线连接,所述第八薄膜晶体管的栅极与触摸电平信号控制线连接;
所述第九薄膜晶体管的源极与电源信号线连接,所述第九薄膜晶体管的漏极与所述数据写入单元中的所述第一薄膜晶体管的源极连接,所述第九薄膜晶体管的栅极与所述触摸电平信号控制线连接。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管像素的电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管是P型薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是N型薄膜晶体管;
或所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管是N型薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管是P型薄膜晶体管。
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