[发明专利]触控面板

权利要求书

1.一种触控面板，其特征在于，包含：

一基板；以及

一低反射导电层，设置于该基板上，该低反射导电层依序包含：一氧化物层；一氮化物层；以及一金属层，其中该氧化物层设置于该氮化物层和该基板间，及该氮化物层设置于该金属层以及该氧化物层之间，其中该金属层、该氮化物层以及该氧化物层紧密接触，且三者依序排列，该氧化物层与该氮化物层之间的厚度比例介于1：0.6至1：1.5之间，该氧化物层的厚度介于20纳米至100纳米之间，该氮化物层的厚度介于20纳米至100纳米之间，该金属层的厚度介于30纳米至500纳米之间,该氧化物层与该氮化物层的折射率不同，其中该低反射导电层至少构成多个触控单元以及多个导线，所述多个导线分别连接所述多个触控单元。

2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该氧化物层为金属氧化物层，该氮化物层为金属氮化物层。

3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该金属层的材料为钼，该氮化物层的材料为氮化钼，该氧化物层的材料为氧化钼。

4.根据权利要求3所述的触控面板，其特征在于，该金属层的厚度为100～80纳米，该氮化物层的厚度为30～50纳米，该氧化物层的厚度为30～50纳米。

5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该触控面板为一导电网触控面板，该低反射导电层包含一导电网结构，该导电网结构的导线线宽为2-10微米。

6.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该氧化物层直接接触该基板。

7.根据权利要求2所述的触控面板，其特征在于，该金属层的材料是选自钼、铜、银、铬和铝其中之一。

8.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该氧化物层的厚度介于20纳米至60纳米之间，该氮化物层的厚度介于20纳米至60纳米之间。

9.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述多个触控单元包含一指状单元，以及呈ㄇ字状并与该指状单元对向排列的多个对向单元。

10.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控单元为矩形网格状。

11.根据权利要求10所述的触控面板，其特征在于，所述导线为直线状。

12.根据权利要求10所述的触控面板，其特征在于，所述导线为规则或不规则波浪状。

13.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述触控单元为规则或不规则的波浪网状。

14.根据权利要求13所述的触控面板，其特征在于，所述导线为直线状。

15.根据权利要求13所述的触控面板，其特征在于，所述导线为规则或不规则波浪状。

16.一种触控面板，其特征在于，该触控面板为一单片玻璃解决方案触控面板，该单片玻璃解决方案触控面板包含：

一基板；以及

一低反射导电层，设置于该基板上，该低反射导电层依序包含：一氧化物层；一氮化物层；以及一金属层，其中该氧化物层设置于该氮化物层和该基板间，及该氮化物层设置于该金属层以及该氧化物层之间，其中该金属层、该氮化物层以及该氧化物层紧密接触，且三者依序排列，该氧化物层与该氮化物层之间的厚度比例介于1：0.6至1：1.5之间，该氧化物层的厚度介于20纳米至100纳米之间，该氮化物层的厚度介于20纳米至100纳米之间，该金属层的厚度介于30纳米至500纳米之间,该氧化物层与该氮化物层的折射率不同，其中该低反射导电层至少构成多个导线以及多个架桥部；

多个绝缘层，局部覆盖所述多个架桥部；以及

多个透明导电电极，设置于该基板上，其中部分的所述透明导电电极之间通过所述架桥部连接，每一所述透明导电电极分别连接至所述多个导线。

17.根据权利要求16所述的触控面板，其特征在于，该氧化物层直接接触该基板。

18.根据权利要求16所述的触控面板，其特征在于，还包含一遮光层，设置于该基板上并围绕所述多个透明导电电极，其中所述多个导线位于该遮光层与该基板之间。

19.根据权利要求16所述的触控面板，其特征在于，该金属层的材料为钼，该氮化物层的材料为氮化钼，该氧化物层的材料为氧化钼。