[发明专利]一种集成电路的构件的制造方法及利用此方法制作的元件

权利要求书

1.一种集成电路的构件的制造方法，包括：

形成一第一有源元件于一衬底上，该第一有源元件包括一金属，该金属具有一金属表面；

沉积一感光材料于该金属表面；

曝露该感光材料于一辐射光线中，诱导在该金属表面的该金属氧化，以形成一金属氧化层；以及

形成一第二有源元件于该金属氧化层上。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中该感光材料在辐射后产生一氧化反应物。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中该感光材料包括一光酸产生剂，该辐射光线具有一波长，该波长通过该光酸产生剂诱导光酸形成。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中该金属为一过渡金属。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中该第一有源元件包括一第一电极，该第一电极具有该金属表面，且第二有源元件包括一第二电极，使得该集成电路的构件包括一可编程电阻存储单元。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中该第一电极为一插塞结构，该插塞结构包括一核心与一衬垫在一层内绝缘体中。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中该核心包括该金属，该衬垫包括一扩散阻隔层。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中在该衬垫中的材料的一氧化物形成于靠近该金属表面。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中在该衬垫中的材料的氧化物具有与在该核心上的金属氧化物相同的厚度。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中该第二有源元件包括一离子源层位于该金属氧化层上，且该制造方法包括形成一电极于该离子源层上。

11.根据权利要求1所述的制造方法，更包括在形成该金属氧化层后，移除该感光材料。

12.一集成电路存储器，该存储器是依据权利要求9所述的方法所制造。

13.一种集成电路的构件的制造方法，包括：

形成多个第一有源元件于一衬底上，每一这些第一有源元件具有一金属，该金属具有一金属表面；

沉积一感光材料于这些第一有源元件的该金属表面；

透过一掩模，直接辐射光线至选定的这些第一有源元件的金属表面上的感光材料，同时阻挡光线辐射至未选定的这些第一有源元件的金属表面上的感光材料，用以诱导选定的这些第一有源元件的金属表面上的金属氧化，以形成一金属氧化层；以及

形成多个第二有源元件于选定的这些第一有源元件上的金属氧化层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中未被选定的这些第一有源元件包括层内导体。

15.根据权利要求13所述的制造方法，其中该感光材料在辐射后产生一氧化反应物。

16.根据权利要求13所述的制造方法，其中该金属为一过渡金属。

17.一种集成电路组成的制造方法，包括：

形成一包括一核心与一衬垫的第一电极，该核心包括一金属，该金属具有一金属表面；

沉积一感光材料于该金属表面上；

曝露该感光材料于一辐射光线中，诱导在该金属表面的金属以及靠近该金属表面的衬垫氧化，以形成一介电层，该介电层包括一金属氧化层与在该衬垫内的材料的一氧化物；

形成一离子源层于该介电层上；以及

形成一电极于该离子源层上。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其中该感光材料在辐射后产生一氧化反应物。

19.根据权利要求17所述的制造方法，其中该感光材料包括一光酸产生剂，该辐射光线具有一波长，该波长通过该光酸产生剂诱导光酸形成。

20.根据权利要求17所述的制造方法，其中金属为一过渡金属，且该衬垫包括一扩散阻隔层。

21.根据权利要求17所述的制造方法，其中在该衬垫内的材料的氧化物具有与在该核心上的金属氧化物相同的厚度。

22.根据权利要求17所述的制造方法，更包括在形成该金属氧化层后，移除该感光材料。