[发明专利]存储器的检测方法

说明书

一种存储器的检测方法。所述存储器的检测方法包括：在所述存储器中写入预设数据；在第一测试条件下对所述存储器进行第一次读取操作，根据所述第一次读取操作的读取结果与第一阈值的比较结果获得第一读取数据；在所述第一读取数据与所述预设数据相同时，在第一测试条件下对所述存储器进行第二次读取操作，根据所述第二次读取操作的读取结果与第二阈值的比较结果获得第二读取数据；根据所述第二读取数据与所述预设数据的比较结果对所述存储器进行判定操作。本发明存储器的检测方法提高了检测结果的可靠性，避免了存储器无法正常使用的问题。

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种存储器的检测方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，存储器的种类也越来越多。通常的，可以将半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器两大类，易失性存储器在掉电后会失去存储的数据，非易失性存储器即使在切断电源的情况下仍能保持所存储的数据信息。

闪存（Flash Memory）作为一种非易失性存储器被广泛应用于各种领域，闪存通常被用来保存配置信息，如电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（Personal DigitalAssistant，个人数字助理）、数码相机中保存资料等。嵌入式闪存（Embedded FlashMemory，E-flash）具有低功耗、大容量和低成本等诸多优点，特别适合于消费电子、通信和工业控制等领域的应用。

E-flash存储器在出厂前通常被写入相应的配置信息数据、条码信息数据或软件信息数据。E-flash的配置信息数据用以校正存储器在读、写或擦除操作时的最佳状态；条码信息数据作为存储器的标识信息，在存储器的失效分析时显得尤为重要；软件信息数据通常在存储器的测试阶段被写入，通常根据客户的不同需求设置。E-flash存储器的配置信息数据、条码信息数码或软件信息数据通常不能在应用中被修改。

现有技术中，对E-flash存储器进行检测后，若E-flash存储器中不存在坏区并且配置信息数据等也能正确读出即判定存储器合格。但是在实际运用中，有时会发现由于外界因素、应用条件改变或者是E-flash存储器的数据保存能力差而导致检测合格的E-flash存储器不能正常使用。

更多关于存储器、存储器检测方法的专利申请可参考2012年4月18日公开的、公开号为CN102420017A的中国专利申请，但是该专利申请中并未解决上述技术问题。

发明内容

本发明解决的问题是现有的存储器的检测方法可靠性低而导致检测合格的存储器在实际应用中无法正常使用。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的检测方法，所述方法包括：

在所述存储器中写入预设数据；

在第一测试条件下对所述存储器进行第一次读取操作，根据所述第一次读取操作的读取结果与第一阈值的比较结果获得第一读取数据；

在所述第一读取数据与所述预设数据相同时，在所述第一测试条件下对所述存储器进行第二次读取操作，根据所述第二次读取操作的读取结果与第二阈值的比较结果获得第二读取数据；

根据所述第二读取数据与所述预设数据的比较结果对所述存储器进行判定操作。

可选地，所述对所述存储器进行判定操作包括：在所述第二读取数据与所述预设数据相同时判定所述存储器合格。

可选地，所述第二阈值大于所述第一阈值，所述对所述存储器进行判定操作包括：

在所述第一测试条件下，对所述存储器进行第三次读取操作，根据第三次读取操作的读取结果与第三阈值的比较结果获得第三读取数据，在所述第三读取数据与所述预设数据相同时判定所述存储器合格；其中，所述第三阈值小于所述第一阈值。

可选地，所述第二阈值小于所述第一阈值，所述对所述存储器进行判定操作包括：