[发明专利]用于输出信号的装置及方法有效

专利信息
申请号: 201310317048.0 申请日: 2013-07-25
公开(公告)号: CN103677070A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 方诚晚 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 输出 信号 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种用于输出信号的装置,包括:

参考信号生成单元,输出具有正温度系数的第一温度系数信号及具有负温度系数的第二温度系数信号;以及

输出单元,基于所述第一温度系数信号和所述第二温度系数信号来输出具有多个温度系数的输出信号。

2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输出单元包括:第一参考信号调整单元,调整所述第一温度系数信号的梯度;以及第二参考信号调整单元,调整所述第二温度系数信号的梯度。

3.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输出单元包括绝对温度比例补偿信号生成单元,所述绝对温度比例补偿信号生成单元基于所述第一温度系数信号和所述第二温度系数信号来输出具有正温度系数和负温度系数的第三温度系数信号。

4.根据权利要求1所述的装置,其中,所述绝对温度比例补偿信号生成单元将所述第一温度系数信号与所述第二温度系数信号进行比较,并输出较小者。

5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述绝对温度比例补偿信号生成单元包括:

偏置电压接收单元,通过所述第一温度系数信号及所述第二温度系数信号而被施加偏置电压;

电流镜单元,用于所述偏置电压接收单元;以及

绝对温度比例补偿信号输出单元,通过所述电流镜单元输出第三温度系数信号。

6.根据权利要求5所述的装置,其中:

所述偏置电压接收单元包括

第一MOSFET,具有连接至电源电压的源极端子,以及

第七MOSFET,连接至第三MOSFET的漏极;并且

所述电流镜单元包括

第四MOSFET,具有连接至所述电源电压的源极端子的源极端子,以及

第八MOSFET,连接至所述第四MOSFET的漏极;并且

其中,所述绝对温度比例补偿信号输出单元在所述第四MOSFET的漏极和所述第八MOSFET的漏极之一中形成。

7.根据权利要求4所述的装置,其中,所述绝对温度比例补偿信号生成单元包括:

第一MOSFET到第四MOSFET,具有连接至电源电压的源极;

第五MOSFET到第八MOSFET,各自连接至所述第一MOSFET到所述第四MOSFET的漏极端子;

第一电流源,连接至所述第五MOSFET的漏极端子并输出具有正温度系数的电流;

第一电阻器,连接至第六MOSFET的漏极;

第二电流源,连接至第七MOSFET的漏极端子并输出具有负温度系数的电流;以及

第二电阻器,连接至所述第八MOSFET的漏极端子,

其中,所述第一MOSFET及所述第二MOSFET的栅极端子连接至所述第一MOSFET的漏极,所述第三MOSFET和所述第四MOSFET的栅极端子连接至所述第三MOSFET的漏极,并且所述第五MOSFET到所述第八MOSFET的栅极端子连接至所述第五MOSFET的漏极。

8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述输出单元包括信号合成单元,所述信号合成单元基于所述第一温度系数到所述第三温度系数中的至少一个来获取具有多个温度系数的输出信号。

9.根据权利要求8所述的装置,其中,所述信号合成单元包括:

第一输入端子,接收所述第一温度系数到所述第三温度系数中的至少一个;

第二输入端子,接收所述第一温度系数到所述第三温度系数中的至少一个;以及

放大器,经由缓冲器元件及第三电阻器使所述放大器的正输入端子连接至所述第一输入端子并使所述放大器的负输入端子连接至所述第二输入端子,

其中所述放大器的输出端子经由第四电阻器连接至所述放大器的负输入端子。

10.一种用于输出信号的方法,包括:

输出具有正温度系数的第一温度系数信号以及具有负温度系数的第二温度系数信号;以及

基于所述第一温度系数信号和所述第二温度系数信号输出具有多个温度系数的输出信号。

11.根据权利要求10所述的方法,其中,输出所述输出信号包括:

调整所述第一温度系数信号的梯度;以及

调整所述第二温度系数信号的梯度。

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