[发明专利]双极型晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底内形成N型集电极；

在所述N型集电极表面形成P型基极，所述P型基极表面具有自然氧化形成的氧化层；

在所述P型基极上形成N型发射极；

对所述P型基极和N型发射极进行退火处理，降低发射极电阻。

2.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理采用的是快速热退火工艺。

3.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度范围为500℃～1200℃，所述退火处理的时间为10s～30s。

4.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为

5.根据权利要求4所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述N型多晶硅层之前，对所述P型基极表面进行清洗，然后在所述P型基极表面自然氧化形成所述氧化层。

6.根据权利要求4所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，退火处理后，所述氧化层内出现若干空洞，并且所述空洞的总面积为退火处理之前的氧化层面积的1%～20%。

7.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述P型基极的材料为P型掺杂的SiGe。

8.根据权利要求1所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述N型集电极表面形成P型基极的方法包括：在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层；刻蚀所述第一绝缘层，在所述N型集电极表面形成第一开口，所述第一开口暴露出所述N型集电极的表面；形成填充满所述第一开口的P型基极。

9.根据权利要求8所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，在所述P型基极表面形成N型发射极的方法包括：

在所述第一绝缘层和P型基极表面形成基极多晶硅层，以及位于所述基极多晶硅层表面的第二绝缘层；

刻蚀所述第二绝缘层和基极多晶硅层，形成位于所述P型基极表面的第二开口，所述第二开口暴露出部分P型基极的表面；

在所述第二开口内形成N型多晶硅层，所述N型多晶硅层覆盖第二开口的内壁以及第二绝缘层表面；

在所述N型多晶硅层表面形成图形化掩膜层，以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀所述N型多晶硅层和第二绝缘层，暴露出远离所述第二开口部分的基极多晶硅层的部分表面，剩余的部分N型多晶硅层作为N型发射极。

10.根据权利要求9所述的双极型晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二绝缘层的材料为正硅酸乙酯、氮氧化硅、氮化硅中的一种或几种，所述第二绝缘层为单层或者多层堆叠结构。