[发明专利]一种具有内部互连结构的片式电容及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201310312854.9 申请日: 2013-07-24
公开(公告)号: CN103515093A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 董一鸣;曹坤;程凯;戴洲 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H01G4/228 分类号: H01G4/228;H01G4/06;H01G4/12
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 王华
地址: 210016 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 具有 内部 互连 结构 电容 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有内部互连结构的片式电容,其特征在于:包括多层本体、内电极、外电极;所述多层本体为由多层电介质层烧结而成的整体;多层本体内含有两个相对设立的内电极,上下表面设有外电极,所述外电极通过设在多层本体上的互连孔与内电极电气互连。

2.根据权利要求1所述的具有内部互连结构的片式电容,其特征在于,所述多层本体的外形尺寸为B1×B2×D=(0.20~1.00)×(0.20~1.00)×(0.10~0.50)mm3,所述的内电极尺寸为b1×b2=[0.10~(B1-0.06)]×[0.10~(B2-0.06)]mm2

3.一种权利要求1所述具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

1)将多层生瓷流延片经过叠片、预压后分别制得上层生瓷片、下层生瓷片和中间层生瓷片;

2)接着在上层生瓷片和下层生瓷片表面覆盖马兰膜,分别对上层生瓷片、下层生瓷片进行打孔处理,得到贯通的互连孔;中间层生瓷片进行打孔处理,得到定位孔,然后对上层生瓷片和下层生瓷片的互连孔进行金属化填孔,并去除马兰膜;

3)分别在步骤2)所得的上层生瓷片和下层生瓷片的一面印刷内电极;

4)将步骤3)所得下层生瓷片放置在下层压板上,按顺序在下层生瓷片上叠放中间生瓷片、上层生瓷片、上层压板,叠放时印刷有内电极的一面朝内,然后进行层压处理,层压后对制品进行烧结得到多层本体;

5)采用溅射或涂覆工艺在多层本体上下表面分别制得外电极,得到具有内部互连结构的片式电容。

4.根据权利要求3所述的具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中将马兰膜分别与上、下层生瓷片一同打孔,并将马兰膜作为填孔掩膜,填孔工艺结束,再将马兰膜分别与上、下层生瓷片分离。

5.根据权利要求3所述的具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中上层压板和下层压板均设有定位柱,而所述中间层生瓷片对应设有定位孔,叠放时定位孔穿过上、下层压板上的定位柱,从而精确定位层压。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310312854.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top