[发明专利]一种具有内部互连结构的片式电容及其制备方法在审
申请号: | 201310312854.9 | 申请日: | 2013-07-24 |
公开(公告)号: | CN103515093A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 董一鸣;曹坤;程凯;戴洲 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01G4/228 | 分类号: | H01G4/228;H01G4/06;H01G4/12 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王华 |
地址: | 210016 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 内部 互连 结构 电容 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有内部互连结构的片式电容,其特征在于:包括多层本体、内电极、外电极;所述多层本体为由多层电介质层烧结而成的整体;多层本体内含有两个相对设立的内电极,上下表面设有外电极,所述外电极通过设在多层本体上的互连孔与内电极电气互连。
2.根据权利要求1所述的具有内部互连结构的片式电容,其特征在于,所述多层本体的外形尺寸为B1×B2×D=(0.20~1.00)×(0.20~1.00)×(0.10~0.50)mm3,所述的内电极尺寸为b1×b2=[0.10~(B1-0.06)]×[0.10~(B2-0.06)]mm2。
3.一种权利要求1所述具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将多层生瓷流延片经过叠片、预压后分别制得上层生瓷片、下层生瓷片和中间层生瓷片;
2)接着在上层生瓷片和下层生瓷片表面覆盖马兰膜,分别对上层生瓷片、下层生瓷片进行打孔处理,得到贯通的互连孔;中间层生瓷片进行打孔处理,得到定位孔,然后对上层生瓷片和下层生瓷片的互连孔进行金属化填孔,并去除马兰膜;
3)分别在步骤2)所得的上层生瓷片和下层生瓷片的一面印刷内电极;
4)将步骤3)所得下层生瓷片放置在下层压板上,按顺序在下层生瓷片上叠放中间生瓷片、上层生瓷片、上层压板,叠放时印刷有内电极的一面朝内,然后进行层压处理,层压后对制品进行烧结得到多层本体;
5)采用溅射或涂覆工艺在多层本体上下表面分别制得外电极,得到具有内部互连结构的片式电容。
4.根据权利要求3所述的具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于:所述步骤2)中将马兰膜分别与上、下层生瓷片一同打孔,并将马兰膜作为填孔掩膜,填孔工艺结束,再将马兰膜分别与上、下层生瓷片分离。
5.根据权利要求3所述的具有内部互连结构的片式电容的制备方法,其特征在于:所述步骤4)中上层压板和下层压板均设有定位柱,而所述中间层生瓷片对应设有定位孔,叠放时定位孔穿过上、下层压板上的定位柱,从而精确定位层压。
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