[发明专利]一种阵列基板及显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

现有的显示面板包括相对设置的阵列基板、彩膜基板以及两者之间的液晶层。其中，彩膜基板包括ITO薄膜，阵列基板包括提供图像显示的像素单元，像素单元包括ITO薄膜，像素单元的ITO薄膜通过开孔与相应的金属层电连接。

彩膜基板上的ITO薄膜与像素单元的ITO薄膜会产生电场，由于设置了过孔，在边缘处会形成弯曲的电场，弯曲的电场使边缘侧的液晶向中间垂直电场的液晶重叠在一起，从而形成向错线（Disclination line）。

向错线会使显示面板的穿透率降低，进而提升成本。当向错线面积较大时，甚至会造成显示面板出现各种显示不均(Mura)的现象，进而影响显示品质。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示面板，能够降低向错线出现的概率，改善显示面板的显示品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括数据线、扫描线以及数据线和扫描线围成的像素结构，像素结构包括ITO薄膜以及设置在ITO薄膜下方的至少一金属层，其中，ITO薄膜通过开孔与金属层电连接，ITO薄膜上设置有狭缝，狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处，以降低向错线出现的概率。

其中，狭缝的长和宽分别大于2.5微米。

其中，像素结构还包括设置在数据线和扫描线相交处附近的薄膜晶体管以及设置在ITO薄膜和金属层之间的钝化层，金属层包括薄膜晶体管的源极和漏极金属层，开孔穿透钝化层并暴露出薄膜晶体管的源极或漏极金属层，ITO薄膜通过开孔设置在薄膜晶体管的源极或漏极金属层的上方。

其中，狭缝对应薄膜晶体管的源极或漏极金属层的边缘处设置，并朝远离开孔的方向延伸。

其中，像素结构还包括设置在ITO薄膜和金属层之间的钝化层和绝缘层，金属层包括公共电极金属层，开孔同时穿透钝化层和绝缘层并暴露出公共电极金属层，ITO薄膜通过开孔设置在公共电极金属层的上方。

其中，狭缝对应公共电极金属层的边缘处设置，并朝远离开孔的方向延伸。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括相对设置的彩膜基板和阵列基板，阵列基板为上述的阵列基板。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明阵列基板上的像素结构的ITO薄膜通过开孔与其下方的金属层电连接，并在ITO薄膜上设置有狭缝，该狭缝设置在ITO薄膜与开孔的连接处。通过上述方式，本发明在显示时，狭缝两侧分别产生相对应的弯曲电场，从而减少了因设置开孔产生的弯曲电场，因此减小了向错线出现的概率，改善显示面板的显示品质。

附图说明

图1是本发明阵列基板的一实施例的结构示意图；

图2是图1所示的阵列基板沿A-A＇线的剖面图；

图3是本发明阵列基板的另一实施例的结构示意图；

图4是图3所示的阵列基板沿B-B＇线的剖面图；

图5是本发明显示面板的一实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。

请一并参阅图1和图2，图1是本发明阵列基板的一实施例的结构示意图。图2是图1所示的阵列基板沿A-A＇线的剖面图。如图1和2所示，阵列基板10包括数据线11、扫描线12以及数据线11和扫描线12围成的像素结构13。其中，像素结构13包括ITO薄膜14以及设置在ITO薄膜14下方的至少一金属层M，其中，ITO薄膜14通过开孔151与金属层M电连接，ITO薄膜14上设置有狭缝16，狭缝16设置在ITO薄膜14与开孔151的连接处，以降低向错线出现的概率。

具体地，像素结构13还包括设置在数据线11和扫描线12相交处附近的薄膜晶体管T以及公共电极111。薄膜晶体管T包括栅极G、源极S以及漏极D。其中，栅极G与扫描线12电连接，源极S与数据线11电连接，漏极D通过开孔151与ITO薄膜14电连接。公共电极111与扫描线12平行设置，公共电极111通过开孔152与ITO薄膜14电连接。