[发明专利]一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法有效
申请号: | 201310304070.1 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103361711A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 杨万民;渊小春;张龙娟 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | C30B1/10 | 分类号: | C30B1/10;C30B29/22;C04B35/45 |
代理公司: | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人: | 高雪霞 |
地址: | 710062 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 gdbco 超导 制备 方法 | ||
1.一种低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法,其特征在于它是由下述步骤组成:
(1)配制固相先驱粉
将Gd2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.0~2.4:1.0~2.4球磨混合均匀,作为固相先驱粉;
(2)配制液相源粉
将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:10:16球磨混合均匀,作为液相源粉;
(3)压制固相先驱块和液相源块
向固相先驱粉和液相源粉中分别加入其质量3.75%~5%的去离子水,各自混合均匀,固相先驱粉与液相源粉的质量比为1:1.5~2,分别压制成圆柱体状的固相先驱块和液相源块,固相先驱块的直径不大于液相源块的直径;
(4)压制支撑块
将Yb2O3压制成直径不小于液相源块直径的圆柱体状支撑块;
(5)坯体装配
在Al2O3垫片上自下而上依次放置MgO单晶、支撑块、液相源块、固相先驱块、钕钡铜氧籽晶,装配成坯体;
(6)顶部籽晶金属氧化物熔渗生长单畴GdBCO块材
将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100~150℃的升温速率升温至900~920℃,保温8~20小时,以每小时60~80℃的升温速率升温至1055~1065℃,保温1~3小时,以每小时60℃的降温速率降温至1035~1039℃,以每小时0.1~0.3℃的降温速率慢冷至1010~1020℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴GdBCO块材;
(7)渗氧处理
将单畴GdBCO块材置入石英管式炉中,在流通氧气气氛、410~330℃的温区中慢冷200小时,得到单畴GdBCO超导块材。
2.根据权利要求1所述的低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法,其特征在于:所述的配制固相先驱粉步骤(1)中,将Gd2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.6:1.6球磨混合均匀,作为固相先驱粉。
3.根据权利要求1所述的低成本单畴GdBCO超导块材的制备方法,其特征在于:所述的顶部籽晶金属氧化物熔渗生长单畴GdBCO块材步骤(6)中,将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时120℃的升温速率升温至920℃,保温10小时,再以每小时60℃的升温速率升温至1060℃,保温1小时,以每小时60℃的降温速率降温至1039℃,以每小时0.3℃的降温速率慢冷至1015℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴GdBCO块材。
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