[发明专利]一种调节多磁极运动控制的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种通过电机控制磁极垂直运动从而调节局部磁场强度的技术领域，特别是应用在离子注入机中改变束流通过调节区域后的偏转角度。 

背景技术

随着现代CMOS技术的不断推进，离子注入的工艺种类呈不断增加趋势，且随着特质线宽的缩小，工艺复杂程度的提高，传统的中束流注入机已不能满足这种工艺要求，因此离子注入工艺所面临的挑战体现在注入能量向超低端发展，而注入剂量则向高浓度发展，要解决这一制造工艺，必须开发新的离子注入机设备——低能大束流离子注入机来解决浅结注入工艺。与传统的注入机不同，低能大束流离子注入对设备在束平行性、束能量纯度、离子束减速技术、注入晶圆电荷消除技术、离子束扩束技术、注入深度控制、注入重复性、均匀性与生产率等方面都提出了更高的要求。为了有效改善宽带束的均匀性及平行度，可通过多磁极的调节实现，调节每个磁极的垂直位置，改变对称磁极之间的极距从而调节局部磁场的强度，进而改变穿过该区域的离子束的偏转角度，以调节宽带束的平行度。 

发明内容

本发明公开了离子注入机系统中一种用于控制多磁极运动的方法，针对上下12组磁极，提出了一种控制精度高、结构简单的系统。 

本发明专利通过以下技术方案来实现： 

一种调节多磁极运动的控制方法，包括工控机(1)、光纤(2)、信号输入 输出板(3)、电机驱动板(4)、开关电源(5)、以及多磁极(6)。 

所述的工控机(1)与信号输入输出板(3)通过光纤(2)相连；所述电机驱动板(4)与信号输入输出板(3)和开关电源(5)相连；所述电机驱动板(4)与多磁极(6)相连。 

本发明型具有如下显著优点： 

1.仅用4个信号输入输出板(3)和6个4轴电机驱动板(4)即可控制12组磁极的运动； 

2.每个电机配有一个直线位移传感器，实现磁极运动的实时监控； 

3.电路简单，可以实现模块化，利于生产和安装； 

4.可以单独精确控制每个磁极的运动，从而改变束流通过区域的磁场分布； 

附图说明

图1是本发明所述的原理功能框图； 

图2是本发明所述控制12组磁极的实施电路示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的介绍，但不作为对本发明的限定。 

参见图1一种调节多磁极运动的控制方法，包括工控机(1)、光纤(2)、信号输入输出板(3)、电机驱动板(4)、开关电源(5)、以及多磁极(6)。 

工控机(1)通过光纤(2)与信号输入输出板(3)相连实时发送与接收数据，开关电源(5)为电机驱动板(4)提供工作电压，其中包括电机驱动电压 及位移传感器工作电压，信号输入输出板(3)与电机驱动板(4)相连，信号输入输出板(3)将工控机(1)发出的使能信号送到电机驱动板(4)的使能端，此时电机驱动器进入待命状态，此时工控机(1)通过光纤(2)发送0～65535的数据信号至电机驱动板(4)，电机驱动板将接收到的位移传感器反馈信号与运动命令作比较处理后控制电机运动，电机通过丝杠带动磁极做垂直方向的运动，从而改变束流区域的磁场强度分布。 

图2中，工控机(1)控制4个模拟量信号输入输出板(3)，每两个信号输入输出板(3)都接有3个4轴电机驱动板(4)，从而独立的控制24个电机的运动，另外，每3个4轴电机驱动板(4)装在一个2U的19英寸机箱里，有效减小了系统的体积。 

本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本发明专利的侵犯，将承担相应的法律责任。