[发明专利]输入电压采样的补偿电路有效
申请号: | 201310301104.1 | 申请日: | 2013-07-16 |
公开(公告)号: | CN103427650A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 唐盛斌 | 申请(专利权)人: | 广州金升阳科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/28 | 分类号: | H02M3/28 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 宣国华 |
地址: | 510663 广东省广州市萝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 电压 采样 补偿 电路 | ||
1.一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:包括ESD电阻压降补偿的第一电阻、零电位温度补偿三极管、运算放大器、用于偏置或限流的第二电阻、箝位三极管、前馈电流镜像电流镜和采样触发端口,补偿三极管的发射极接地,补偿三极管的基极和集电极连接后接第一电阻一端,第一电阻另一端分别接工作电源和运算放大器的同相输入端,运算放大器的输出端经第二电阻连接箝位三极管的基极,箝位三极管的基极连接采样触发端口的输出端,箝位三极管的发射极用于连接外部的ESD电阻,箝位三极管的集电极连接前馈电流镜像电流镜的输入端,前馈电流镜像电流镜的电源端连接工作电源,前馈电流镜像电流镜的ESD电阻压降的补偿电流输出端连接所述第一电阻另一端。
2.根据权利要求1所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述采样触发端口包括第一N型沟道MOS管和第一逻辑非门,第一N型沟道MOS管的源极接箝位三极管的基极,其漏极接地,其栅极接第一逻辑非门的输出端,第一逻辑非门的输入端接入触发驱动信号,触发驱动信号采用变换器中功率MOS管的驱动信号。
3.根据权利要求1或2所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述运算放大器的输出端与第二电阻之间还连接传输门,第一逻辑非门的输出端还第二逻辑非门,传输门T1的选择输入负端接第一逻辑非门的输出端,传输门T1的选择输入正端接第二逻辑非门的输出端,第二逻辑非门的输入端接第一逻辑非门的输出端。
4.根据权利要求3所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述零电位温度补偿三极管和箝位三极管选用NPN型三极管。
5.根据权利要求4所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述箝位三极管上并联至少一个相同的三极管。
6.根据权利要求1所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述零电位温度补偿三极管和箝位三极管选用N型沟道MOS管。
7.根据权利要求1所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述前馈电流镜像电流镜中的工作电源接入端连接来自芯片外部高压电源VDD,或者芯片内部低压电源VCC。
8.根据权利要求1所述的一种输入电压采样的补偿电路,其特征在于:所述第一电阻与工作电源之间连接偏置电流源。
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