[发明专利]一种超声分子束注入装置有效
申请号: | 201310301066.X | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN103413574A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | 姚良骅;冯北滨;陈程远 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院 |
主分类号: | G21B1/15 | 分类号: | G21B1/15 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 包海燕 |
地址: | 610041 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超声 分子 注入 装置 | ||
技术领域
本发明属于核聚变技术领域,具体涉及一种超声分子束注入装置。
背景技术
超声分子束注入是在常规喷气技术基础上发展起来的核聚变加料新方法。
在发明专利“超声气体或团簇注入器”(ZL10105647.1)中,公开了一种超声气体注入设备,其主要优点是能够提高加料效率一倍,以燃料气体氘为例,超声气体注入的加料效率为30至60%,而常规喷气加料的效率仅为15至30%。超声气体加料粒子有可能进入等离子体约束区。因此,对于提高等离子体的密度和密度峰化以及改善能量约束有利。这些成果主要是在较小规模(R=1.02m,a=0.20m)托卡马克HL-1M上取得的。但是,随着核聚变事业的发展,装置规模不断扩大,加热和约束手段进一步开发,等离子体压强(温度乘密度)随之增长,目前托卡马克标准运行程序是高约束模式(H模),预期ITER(国际核聚变实验堆)将运行于此模式,该运行模式具有高压强边缘输运垒(ETB),能够大大提高等离子体约束性能,但同时存在加料困难问题。
现代大型托卡马克装置尺度加大,加料注入口距离等离子体边缘在3m以上,比发明专利“超声气体或团簇注入器”(ZL10105647.1)中HL-1M装置注入距离超过10倍以上,边缘等离子体压强也成倍上升,因此,对加料提出了更为严格的要求。
托卡马克装置在高约束模式运行时,超声气体注入器存在下属缺陷:
(1)在托卡马克H模等离子体运行时,常规喷气加料效率下降至10%以下。超声气体注入加料效率降也低于20%,且粒子直接穿越高压强输运垒非常困难,密度增加主要靠粒子扩散。
(2)超声气体注入器使用的Laval喷嘴喉道深度只有1mm左右,超声束流定向性的优势未能充分发挥,随着分子束注射距离大幅度增加,粒子流中具有一定发散性的外围部分的作用也更加显现,而被注入对象等离子体压强却成倍提高,因此与常规喷气加料之间的差距逐渐缩小。
(3)随着核聚变装置规模不断扩大,边缘等离子体温度和密度随之增长,超声气体注入器发射的粒子穿越磁分界面直接进入等离子体约束区的数量很少。因此,即使在低约束模式(L模)运行时,因密度峰化改善能量约束的效果也不明显。
发明内容
本发明需要解决的技术问题为:现有超声气体注入器在高性能托卡马克高约束模式运行中等离子体加料效率低于20%且约束欠佳。
本发明的技术方案如下所述:
一种超声分子束注入装置,包括分子束阀门、冷/热阱热沉和磁屏蔽筒,分子束阀门自内而外依次嵌套于冷/热阱热沉和磁屏蔽筒中,并固定在与聚变装置真空室相连接的法兰上,分子束阀门出口设有加长型拉瓦尔喷嘴。
作为优选方案:
所述分子束阀门的进气口通过高气压密封接头与高压气源相连接;其出口设有加长型拉瓦尔喷嘴,分子束阀门出口的孔径与加长型拉瓦尔喷嘴的孔径相等,且处于同一轴线上。
所述分子束阀门的出口孔径规格可以为0.1~0.5mm;所述加长型拉瓦尔喷嘴的长度可以在58mm以上,其内壁呈圆锥形,半圆锥角规格可以为6~25°。
所述冷/热阱热沉通过冷/热通接头与冷通/热通系统相连,冷通系统可以采用液氮输液系统,热通系统可以采用压力蒸汽输液系统,温度调节范围可以为100~500K。提高工作气体温度可以使超声分子束速度进一步升高,有利于增加注入深度和加料效率的提高。
所述冷/热阱热沉和磁屏蔽筒之间可设有绝热套筒,冷/热阱热沉还可设有测温器件。
磁屏蔽筒优选采用软铁材料,可以通过分子束注入线定位筒固定在与聚变装置真空室相连接的法兰上。
本发明取得的有益效果为:
改进后超声分子束注入装置在高性能托卡马克高约束模式(H模)运行中,能够将分子束穿越磁分界面,进入等离子体台基区,在维持高加料效率(40%)的同时,在现有的大型超导托卡马克(中科院EAST和韩国KSTAR)上应用效果已经显示其对于优化H模运行的贡献:(一)降低从低约束模式转换到高约束模式(L-H)的功率阈值;(二)缓解边缘局域模(ELM)不稳定性,使器壁表面热负荷降低50%,从而维持H模常态运行。
(1)本发明的超声分子束注入装置能够将粒子穿越托卡马克H模的边缘输运垒(ETB),加料效率维持在40%左右;
(2)在托卡马克L模运行时,本发明装置注入粒子能穿越磁分界面(LCFS)进入等离子体边缘台基区,在低于阈值功率10%条件下,具有从低约束模式转换到高约束模式(L-H)的功能;
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