[发明专利]天线设备及其馈电结构

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.119和35U.S.C.365要求韩国专利申请No.10-2012-0076313（在2012年7月12日提交）的优先权，该申请通过引用的方式全部并入本申请中。

技术领域

本发明涉及一种用于形成将要连接到电容元件的多种电路并且使用适当的电容元件值来获得谐振所需的最佳容抗值的设备。

背景技术

天线是在终端内接收在空中的无线电信号或在终端内向外发送信号的装置，它是与外部进行通信的无线装置的必要元件。

图1是图示根据现有技术的天线10的配置视图。参见图1，天线10包括馈电部11与辐射体12a和12b。在天线10中，馈电部11与辐射体12a和12b串联，并且由馈电部11提供的信号经由辐射体12a和12b被发送到外部。

在这种情况下，辐射体12a和12b可以是无线通信装置的接地（未示出）或可以为另外的辐射体。另一方面，一个辐射体12a可以是另外的辐射体，并且另一个辐射体12b可以使用接地体来作为辐射体。

在图1的天线10的情况下，因为仅通过使用电气方法来从馈电部11直接向辐射体12a和12b提供电信号而没有另外的馈电结构，所以其性能低于包括馈电结构的天线的性能。

图2是图示根据现有技术的包括馈电结构的天线20的视图。

参见图2，天线20包括馈电部21、辐射体22a和22b以及用于形成馈电回路25的导线24。

在图2的天线20的情况下，因为通过使用导线24来形成馈电回路25，所以能够除了电气馈送之外还通过磁耦合来进行馈送，由此提供比图1的天线10（不包括馈电回路25）更改善的性能。然而，虽然天线20包括馈电回路25，但是其性能在高频区中降低。其详细说明如下。

当从馈电部21提供的RF电流流过馈电回路25时，产生等效磁流I_m。等效磁流I_m表示为如下。

I_ml=jωμSI(ω)      等式（1）

在等式1中，j表示具有长度的等效磁流，ω表示角频率，μ表示磁导率，S表示馈电回路的面积，并且I(ω)表示从馈电部提供的RF电流。

在馈电回路25中产生的等效磁流I_m可以被认为是在馈电回路25中产生的磁通量，并且在馈电回路25中产生的磁通量和等效磁流I_m之间的关系表示为如下。

I_m=-jωψ      等式（2）

在等式2中，ψ表示在馈电回路25中产生的磁通量的总和。

另一方面，在馈电回路25中产生的磁通量的总和可以表示为如下。

ψ=∫B→gds→≈Bgs=LgI=LVR+jωL∝1ω]]>      等式（3）

根据等式3，可以知道，随着馈电部21提供的RF电流的频率增大，在馈电回路25中产生的磁通量的总量减小。

也就是说，在馈电回路25中产生的磁通量的总量的减小意味着等效磁流I_m的减小。因此，因为等效磁流I_m在高频减小，并且不可能有效地向辐射体22a和22b馈送RF信号，所以图2的天线20的性能在高频降低，并且其频带可能变得更窄。

另一方面，在天线结构中，标准化的是，低电容元件的电容值（0.3pF至1.5pF）在1800MHz或更大中使用，并且高电容值（6pF至9pF）在960MHz或更小中使用。

在这种情况下，被标准化为2pF或更小的低电容的产品以0.1pF为单位存在，并且被标准化为6pF或更大的高电容的产品以1pF为单位存在。