[发明专利]微错位长周期光纤光栅及制作方法有效
申请号: | 201310291983.4 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN103308984A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 张伟刚;白志勇;高社成;严铁毅 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | G02B6/25 | 分类号: | G02B6/25;G02B6/255;G02B6/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300071 天津市南开*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 错位 周期 光纤 光栅 制作方法 | ||
1.一种新型长周期光栅制作方法,其特征在于:沿光纤轴向排列多个错位点形成周期性结构,即通过将光纤精密截取并等间距进行熔接,使光纤沿轴向形成周期性错位级联结构,实现光纤模式的新型调制,从而制作出具有微错位结构的长周期光纤光栅。
2.根据权利要求1所述微错位长周期光纤光栅,其制作方法是:1)将一段剥去涂覆层的光纤置于精密切割系统中,准直后切割,并保证端面平整;2)在系统监视器监控下,将切割的两段光纤通过熔接机进行微错位熔接;3)将熔接后的光纤再置于精密切割系统中,并在精密微位移装置控制下平移光纤一定距离L;4)在新位置重复步骤1)~3)制作新的微错位点。重复以上步骤形成等周期的错位级联结构,便可制成错位型长周期光纤光栅。
3.根据权利要求1所述微错位长周期光纤光栅,其特征在于:精密切割系统由光纤切割刀、三维微位移平台、轮滑组等组成;光纤错位熔接通过单芯光纤熔接机电弧放电来实现。
4.一种微错位长周期光纤光栅及制作方法,其特征在于:沿垂直与光纤轴向的方向上的错位量在0.1~10μm之间,光栅周期在10μm至几mm之间。
5.根据权利要求1所述微错位长周期光纤光栅,其特征在于:1)尺寸短小(约1.1mm),仅两个周期便可形成光栅;2)其折射率敏感性低于同尺寸光纤光栅的折射率敏感性;3)可实现扭转应力的大小与方向的同时测量。
6.根据权利要求1所述微错位长周期光纤光栅,其特征在于:光栅制作所使用的光纤可为各种类型的光纤,如标准单模光纤,双包层光纤、保偏光纤、多模光纤、空心光纤、光子晶体光纤、微结构光纤等。
7.根据权利要求2所述微错位长周期光纤光栅制作方法,其特征在于:在光栅制作过程中,可以用其他熔接方式产生不同的调制代替错位熔接,如过熔、不同类型光纤熔接等,从而形成其他调制类型的长周期光纤光栅。
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