[发明专利]一种自适应抗软错误存储单元及存储电路

权利要求书

1.一种自适应抗软错误存储单元，其特征在于包括一由两个反相器构成的交叉耦合结构，两所述反相器的漏端分别与一可变电容C1、C2连接，可变电容C1、C2的控制端与一参考电压产生模块的参考电压输出端连接；两反相器的漏端分别与一选通管的漏端连接，两选通管的栅极分别与字线WL连接，一选通管的源端与位线BL连接，另一选通管的源端与位线NBL连接；其中，所述参考电压产生模块输出的参考电压VB与存储单元的工作电压VDD正相关。

2.如权利要求1所述的自适应抗软错误存储单元，其特征在于所述参考电压产生模块中设有一阈值电压；当VDD高于该阈值电压时，所述参考电压产生模块输出参考电压VB为设定的高电压，在VDD低于该阈值电压时，所述参考电压产生模块输出参考电压VB为设定的低电压。

3.如权利要求1或2所述的自适应抗软错误存储单元，其特征在于所述参考电压产生模块为一数模转换电路。

4.如权利要求1所述的自适应抗软错误存储单元，其特征在于所述可变电容为MOS管，其中MOS管的栅极作为可变电容的一端与所述反相器的漏端连接，MOS管的源端和漏端连接在一起作为可变电容的另一端与所述参考电压产生模块的参考电压输出端连接。

5.如权利要求1所述的自适应抗软错误存储单元，其特征在于所述可变电容为一PN结可变电容。

6.一种存储电路，其特征在于包括多个自适应抗软错误存储单元，每一所述自适应抗软错误存储单元包括一由两个反相器构成的交叉耦合结构，两所述反相器的漏端分别与一可变电容C1、C2连接，可变电容C1、C2的控制端与一参考电压产生模块的参考电压输出端连接；所述参考电压产生模块输出的参考电压VB与存储单元的工作电压VDD正相关；其中，每一所述自适应抗软错误存储单元的两反相器的漏端分别与一选通管的漏端连接，两选通管的栅极分别与字线WL连接，一选通管的源端与位线BL连接，另一选通管的源端与位线NBL连接。

7.如权利要求6所述的存储电路，其特征在于所述参考电压产生模块中设有一阈值电压；当VDD高于该阈值电压时，所述参考电压产生模块输出参考电压VB为设定的高电压，在VDD低于该阈值电压时，所述参考电压产生模块输出参考电压VB为设定的低电压。

8.如权利要求6或7所述的存储电路，其特征在于所述可变电容为MOS管，其中MOS管的栅极作为可变电容的一端与所述反相器的漏端连接，MOS管的源端和漏端连接在一起作为可变电容的另一端与所述参考电压产生模块的参考电压输出端连接。

9.如权利要求6或7所述的存储电路，其特征在于所述可变电容为一PN结可变电容；所述选通管为MOS管；所述参考电压产生模块为一数模转换电路。