[发明专利]铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜，其特征在于：包括玻璃衬底、Mo氧化层、Mo薄膜内层和Mo薄膜外层，所述的Mo氧化层贴合在玻璃衬底上，所述的Mo薄膜内层贴合在Mo氧化层上，所述的Mo薄膜外层贴合在Mo薄膜内层上。

2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜，其特征在于：所述Mo氧化层的成分为MoO₂或MoO₃或Mo₄O₁₁。

3.一种如权利要求1所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：包括如下步骤：

（1）制备Mo氧化层：将洗净的玻璃衬底放入磁控溅射腔中，磁控溅射腔内为气压小于1×10^-4Pa的真空状态，然后将玻璃衬底加热到200℃，烘烤10分钟；待玻璃衬底冷却到70℃以下，开始在玻璃衬底上溅射以形成Mo氧化层，溅射功率为250W至450W，溅射气压1.0至2.0Pa，气体为氩气和氧气体积比Ar:O₂为1:1至100:1的混合气体，溅射1至10分钟；

（2）制备Mo薄膜内层：在Mo氧化层上低气压溅射以形成Mo薄膜内层，气体为氩气，溅射功率为250W至450W，溅射气压0.1至0.5Pa，溅射时间为10至25分钟；

（3）制备Mo薄膜外层：在Mo薄膜内层上高气压溅射以形成Mo薄膜外层，气体为氩气，溅射功率为250W至450W，溅射气压0.6至1.0Pa，溅射时间为30秒至60秒。

4.根据权利要求3所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的Mo氧化层的厚度为100至200纳米。

5.根据权利要求3所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的Mo薄膜内层的厚度为250至400纳米。

6.根据权利要求3所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：所述的Mo薄膜外层的厚度为10至50纳米。

7.根据权利要求3所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，磁控溅射腔内的气压小于8.5×10^-5Pa。

8.根据权利要求3所述的铜铟镓硒太阳电池背电极Mo薄膜的制备工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，溅射时氩气和氧气的体积比Ar:O₂为4:1至6:1。