[发明专利]一种硅片的湿法刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及硅片加工技术领域，尤其是涉及一种硅片的湿法刻蚀方法。

背景技术

湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用腐蚀溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。其具有优良的选择性，刻蚀完当前薄膜就会停止，而不会损坏下面一层其他材料的薄膜。湿法刻蚀在半导体的磨片、抛光、清洗等工艺中有着广泛应用。

目前，由于工艺设计要求，需制备背面有氧化层保护的硅片（硅片需通过湿法刻蚀去除氧化层的面为正面，与之相对面为背面）。而在制备背面附着氧化层的硅片时，硅片的正面和背面均生长了氧化层，就需要通过湿法刻蚀处理去除掉正面的氧化层，同时保留背面氧化层，来实现工艺设计对硅片的要求。在去除硅片正面的氧化层的过程中，由于腐蚀溶液挥发的气体到达硅片背面的边缘腐蚀该边缘的氧化层，导致背面边缘的氧化层也受到了一定程度的腐蚀，不符合产品的工艺要求。

发明内容

本发明克服了现有技术中的缺点，提供了一种操作简单的硅片的湿法刻蚀方法。该方法可有效防止硅片的背面产生多余的刻蚀区。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：一种硅片的湿法刻蚀方法，硅片的外表面具有氧化层，硅片需通过湿法刻蚀去除氧化层的面为正面，与之相对面为背面，该方法包括以下步骤：

（a）将硅片的正面朝下放置与腐蚀溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体；

（b）经一定反应时间，取出硅片用水冲洗干净，备用。

优选的是，所述步骤（a）中的腐蚀溶液为氢氟酸。

优选的是，所述步骤（a）中的气体为氮气。

优选的是，所述步骤（a）中的气体为干燥的空气。

优选的是，所述步骤（a）中的气体从硅片中心的上方垂直向下喷射至硅片的背面。

优选的是，所述步骤（b）的反应时间为3分钟。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

（1）该发明通过从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体，气体到达硅片的表面（背面）后沿硅片的表面向四周流散开来，防止腐蚀溶液挥发的气体到达硅片背面的边缘腐蚀该边缘的氧化层。

（2）本发明操作简单，硅片的加工成本低。在确保硅片正面氧化层彻底去除的同时，还能很好的保护硅片的背面氧化层不受腐蚀，实用性强，效果好。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中硅片湿法刻蚀的一个实施例的示意图；

图2为采用现有方法加工硅片后其背面氧化层的示意图；

图3为本发明的一个实施例的示意图；

图4为采用本发明的方法加工硅片后其背面氧化层的示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1所示为现有技术中硅片湿法刻蚀的一个实施例的示意图，硅片1的正面（需去除氧化层的面）朝下放置，腐蚀溶液吸附在滤纸制成的垫片3上，硅片1的正面与垫片3的上表面充分接触进形氧化层的去除；由于腐蚀溶液的挥发的气体4在往上升的过程中会与硅片1背面氧化层2的边缘接触，与硅片1的背面氧化层2的边缘发生反应，破坏硅片1的背面氧化层2，用现有技术加工后的硅片1的背面氧化层2如图2所示。

实施例1：

图3所示为本发明的一个实施例的示意图，采用本发明的方法进行硅片湿法刻蚀包括以下步骤：

（a）将硅片1的正面朝下放置与腐蚀溶液接触，并从硅片1的上方向其背面喷射性质稳定的气体5；腐蚀溶液采用氢氟酸，气体采用性质稳定的氮气。为了使喷射的气体5沿硅片1的表面向四周均匀流散开来，同时减少气体5用量，优选采用气体5从硅片1中心的上方垂直向下喷射至硅片1的背面。

（b）经3分钟的反应时间，取出硅片用水冲洗干净，备用。