[发明专利]一种以嵌段聚合物为模板实现金纳米粒子生长的方法有效
申请号: | 201310279080.4 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN103373702A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 鲁从华;赵阳 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 李丽萍 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚合物 模板 实现 纳米 粒子 生长 方法 | ||
1.一种以嵌段聚合物为模板实现金纳米粒子生长的方法,包括以下步骤:
步骤一、将硅片依次用蒸馏水、无水乙醇超声30min,然后置于75℃的H2O2:NH3·H2O:H2O体积比为1:1:5的溶液中,沸腾10min,用蒸馏水清洗数次备用;
步骤二、将质量分数为0.5wt%的PS-b-PVP的甲苯混合溶液旋涂在经过步骤一处理过的硅基底上,形成聚合物薄膜,膜厚为20nm;
步骤三、将由步骤二制备好的旋涂有聚合物薄膜的硅基底依次放入PS链段的良溶剂-甲苯的饱和蒸汽中溶剂诱导5h、乙醇中浸泡30min,真空干燥;
步骤四、将质量分数为0.2wt%的氯金酸的乙醇溶液旋涂在经步骤三真空干燥过的硅基底上;
步骤五、将步骤四所得的硅基底放入氧等离子体清洗器中真空脱气1h,利用氧等离子的清洗功能将硅基底上的聚合物薄膜除去,并且将氯金酸中的Au3+转换成金纳米粒子,形成有序排列的金纳米粒子阵列;
步骤六、将步骤五所得到的硅基底上的金纳米粒子阵列浸泡到金的生长液中1~2h,该生长液的组份为18ml0.1M的CTAB,900ul的0.01M氯金酸醇溶液和100ul的0.1M抗坏血酸,然后用蒸馏水冲洗数次,得到粒径为7~20nm的金纳米粒子阵列。
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