[发明专利]直线式离子阱及质量分析器系统和方法

权利要求书

1.一种多阶段离子处理系统，包括：

至少三个直线式离子阱，每个包括：

设置在zx和zy平面上间隔的x和y对平面电极以限定一陷获体积，每个平面电极具有平行于间隔的x和y对平面电极中的x方向电极或者y方向电极的狭缝；

RF电压源，其用于在间隔的x和y对平面电极之间施加RF电压以在xy平面上产生RF陷获场；

在由所述间隔的x和y对平面电极限定的陷获体积内的末端的、设置在xy平面内的平面端电极；

DC电压源，其用于向至少所述平面端电极上施加DC电压以沿z轴提供DC陷获场，由此离子被陷获在该陷获体积内；及

AC电压源，其用于向所述间隔的x和y对平面电极中的可选的一对施加AC电压以在相应的zx或zy平面内激发离子，所述直线式离子阱取向为所述多个离子阱的第一离子阱的狭缝中的一个狭缝设置为与所述多个离子阱的第二离子阱的相应的狭缝相对，

其中所述三个或多个直线式离子阱被以串联和并联阵列组合。

2.如权利要求1所述的多阶段离子处理系统，其中所述直线式离子阱排列为它们的轴正交安排，而直线式离子阱通过直线式离子阱相互耦合，由此离子可以在x、y和z方向上转移。

3.如权利要求2所述的多阶段离子处理系统，其中使直线式离子阱耦合的是立方形直线式离子阱。

4.如权利要求1所述的多阶段离子处理系统，其中直线式离子阱的间隔的x和y对平面电极具有不同的间距。

5.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统以分隔感兴趣的离子的方法，包括向RF电极施加RF/DC分隔电压以陷获感兴趣离子。

6.如权利要求5所述的方法包括在分隔离子后向一对RF电极施加AC电压以打断离子。

7.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统以分隔感兴趣离子的方法，包括向一对RF电极施加一在频谱中有间隙的宽波段AC电压，由此除了具有在间隙频率处的激发频率的离子外其它离子被共振到阱外。

8.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统的方法，包括向在狭缝方向的RF电极对施加AC电压。

9.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统的方法，包括向RF电极施加RF陷获电压和向包括狭缝的该组RF电极施加AC电压。

10.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统的方法，包括向一组RF电极施加RF电压以及向另一组RF电极施加不同频率的AC电压以在x和y方向上射出不同质量的离子。

11.操作权利要求1所述的多阶段离子处理系统的方法，包括通过改变施加到间隔的x和y对平面电极和平面端电极的RF、AC和DC波形的组合来选择陷获离子的运动方向。