[发明专利]一种多晶硅介质熔炼的造渣剂及其使用方法

权利要求书

1.一种多晶硅介质熔炼的造渣剂，其特征在于由以下原料混合而成：Na₂SiO₃40%～60%、SiO₂20%～40%、CaO10%～20%和FeO1%-5%。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于按照以下步骤进行：

（1）将硅料加入到石墨坩埚内，采用中频感应炉加热至硅料全部熔化成硅液；

（2）将造渣剂按照原料组成加入到混料机中混合均匀；

（3）混合好后的造渣剂加入到硅液中，并保温进行介质熔炼；

（4）介质熔炼结束后，将产生的旧渣全部倾倒出；

（5）重复步骤（3）～（4）2～4次，硅液经冷却凝固，经ICP-MS测量其硼含量。

3.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（1）中将硅料加入石墨坩埚内，采用中频感应炉提升功率至50～250kW，经30～80min使硅料全部熔化成硅液。

4.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（2）中混合时间为5～20min。

5.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（3）中造渣剂与硅液的质量比为0.3～1.2:1。

6.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（3）中将混合好后的造渣剂一次性加入后，保持功率30～150kW，保持熔体上表面温度为1650～1750℃，保温20～60min进行介质熔炼。

7.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（3）中将混合好后的造渣剂等分成4～10份，间隔10～20min依次加入，保持功率50～200kW，完全加入后，保持功率30～150kW，保持熔体上表面温度为1650～1750℃，保温20～60min进行介质熔炼。

8.根据权利要求2所述的一种多晶硅介质熔炼的造渣剂使用方法，其特征在于步骤（4）中介质熔炼结束后，控制温度1500±20℃将产生的旧渣全部倾倒出。