[发明专利]一种柔性太赫兹波调制器无效
| 申请号： | 201310273215.6 | 申请日： | 2013-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN103364973A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 胡明;韦晓莹;武雅乔;夏晓旭;朱乃伟 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 赫兹 调制器 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性太赫兹波调制器，包括介质基板（1）和附着于介质基板（1）表面的电磁共振器阵列（2）；其特征在于，所述的介质基板（1）为柔性介质材料基板；所述的电磁共振器阵列（2）由多个电磁共振器单元构成，该电磁共振单元由沉积于介质基板（1）表面的VO2或者V2O5纳米薄膜形成。
2.根据权利要求1的一种柔性太赫兹波调制器，其特征在于，所述的柔性介质材料为对太赫兹波高度透明的聚酰亚胺，简称PI。
3.根据权利要求1的一种柔性太赫兹波调制器，其特征在于，所述电磁共振器单元的直径为50μm，每个电磁共振器单元的横向和纵向间隔为50μm。
4.根据权利要求1的一种柔性太赫兹波调制器，其特征在于，所述电磁共振器单元的数量为n×n个，且n≥2。
5.根据权利要求1的一种柔性太赫兹波调制器，其特征在于，所述的VO2或者V2O5纳米薄膜的厚度为100～600nm。
6.根据权利要求1的一种柔性太赫兹波调制器，其特征在于，所述的VO2或者V2O5纳米薄膜具有绝缘体-金属相变特性。
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