[发明专利]一种Nand存储器及数据存储方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种Nand存储器及数据存储方法。背景技术

随着科学技术的不断发展，电子技术也得到了飞速的发展，电子产品的种类也越来越多，人们也享受到了科技发展带来的各种便利。现在人们可以通过各种类型的电子设备，享受随着科技发展带来的舒适生活。比如，智能手机、平板电脑等电子设备，已经成为人们生活中不可或缺的一部分。

内存是电子设备中重要的部件之一，它是与CPU进行沟通的桥梁。电子设备中所有程序的运行都是在内存中进行的，因此内存的性能对电子设备的影响非常大，在现有技术中Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

现有的Nand-flash分为SLC(Single Level Cell-SLC，即单层式储存)和MLC(Multi Level Cell-MLC，即多层式储存)两者存储形式，上述两种存储形式的差异包括：

SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

MLC的作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate(闪存存储单元中存放电荷的部分)，然后利用不同电位(Level)的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。与SLC比较MLC的缺点：MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以写入10万次，而MLC架构只能承受约1万次的写入。其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到6MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15％左右的电流消耗。虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。

本申请发明人在实现本申请实施例中技术方案的过程中，发现现有技术存在如下技术问题：

为保证大容量和低成本，目前均采用MLC的存储形式，由于MLC的存储特性，导致系统启动加载缓慢，没有SLC系统快速。所以现有技术中的Nand-flash内存不能做到处理速度与存储空间兼顾。

发明内容

本发明提供一种Nand存储器及数据存储方法，本发明所提供的方法和装置解决现有技术Nand-flash内存不能做到处理速度与存储空间连着兼顾的问题。

本发明提供一种形成Nand存储器的方法，该方法包括：

在对Nand存储器创建分区时，接收用于进行分区的分区参数，并写入到所述Nand存储器的内嵌式存储器芯片中，其中，所述分区参数包括各分区的起始地址、各分区的区域大小以及各分区的单层式储存SLC/多层式储存MLC属性；

根据所述分区参数将所述Nand存储器划分出一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区，其中所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。

本发明还提供一种Nand存储器，该Nand存储包括：

一个单层式储存SLC格式的分区和一个多层式储存MLC格式分区，其中，所述MLC格式分区为所述Nand存储器中除所述SLC格式的分区外的剩余区域。

应用上述Nand存储器实现的数据存储方法，该方法包括：