[发明专利]一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器

权利要求书

1.一种基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其包括：

入射波导，其为直波导，用于接收入射光和输出出射光；

弯曲波导，其与入射波导近距离设置，使得经过入射波导内的入射光部分耦合进该弯曲波导，且经过该弯曲波导的出射光部分耦合进所述入射波导并输出；

马赫曾德尔干涉仪结构，其输入端与弯曲波导的输入端相连，其输出端与弯曲波导的输出端相连，以形成微环谐振腔，且其用于增加微环谐振腔的光损耗。

行波电极，其用于向所述马赫曾德尔干涉仪结构加载电压，以使得马赫曾德尔干涉仪结构对输入其的光进行强度调制。

2.根据权利要求1所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：所述马赫曾德尔干涉仪结构包括：

1×2分束器，其与弯曲波导的第一端相连；

第一调制臂，其第一端与1×2分束器的第一输出端相连；

第二调制臂，其第一端与1×2分束器的第二输出端相连；

2×1合束器，其输入端与第一调制臂和第二调制臂的第二端相连，输出端与弯曲波导的第二端相连。

3.根据权利要求2所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：1×2分束器和2×1合束器是多模干涉耦合器或者Y分支。

4.根据权利要求2所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：入射波导、弯曲波导、1×2分束器和2×1合束器在制作过程中不进行掺杂，以减小光在传输过程中的损耗；第一调制臂和第二调制臂在制作过程中进行掺杂，并且掺杂浓度相等，使两条臂的吸收损耗相同，实现高消光比调制。

5.根据权利要求2所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：第一调制臂和第二调制臂的长度相同，且所述电光调制器的波谱范围由微环谐振腔的周长决定。

6.根据权利要求2所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：第一调制臂和第二调制臂的长度不同，且该电光调制器的工作谐振峰位于所述第一调制臂和第二调制臂的2nπ相移处，n为大于0的整数。

7.根据权利要求1所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：所述行波电极向所述马赫曾德尔干涉仪结构的其中一条调制臂加载电压，用于改变马赫曾德尔干涉仪结构输出端的光强，进而改变微环谐振腔内部的损耗，实现微环谐振腔临界耦合和非临界耦合之间的转换，从而实现电光开关的功能。

8.根据权利要求7所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：当加载电压增加微环谐振腔内部的损耗时，微环谐振腔内的光子寿命减小，调制带宽增加，从而提高调制速率。

9.根据权利要求1所述的基于微环-马赫曾德尔干涉仪结构的电光调制器，其特征在于：在对MZI进行加载电压过程中，不用实现π相移，因为临界耦合条件对微环内损耗的改变非常敏感，因此可以实现高效调制。