[发明专利]光刻返工后残留光刻胶的去除方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法。

背景技术

在半导体制造中，光刻经常会遇到由于各种各样的原因导致的异常返工。其中，如果是在涂胶腔发生的异常（例如涂胶不良、双重涂胶等），处理起来就很麻烦，需要先内部去胶（EBR去胶）后再进行返工，否则就会有返工后去胶不干净的风险。

假如确实发生了返工之后光刻胶未去干净的情况，则此时残留的光刻胶通过再次返工通常无法去除，因此晶圆就会被报废。

发明内容

基于此，有必要提供一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法。

一种光刻返工后残留光刻胶的去除方法，包括下列步骤：使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆；使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗；所述第一溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第二溶液是氨水和双氧水的混合溶液，或所述第二溶液是硫酸和双氧水的混合溶液、所述第一溶液是氨水和双氧水的混合溶液。

在其中一个实施例中，所述氢氟酸溶液中H₂O和HF的摩尔比为100:1。

在其中一个实施例中，所述使用氢氟酸溶液浸泡残留有光刻胶的晶圆的步骤中浸泡时间为30秒。

在其中一个实施例中，所述硫酸和双氧水的混合溶液中H₂SO₄和H₂O₂的摩尔比为5:1。

在其中一个实施例中，所述氨水和双氧水的混合溶液中NH₄OH、H₂O₂、H₂O的摩尔比为1:2:10。

在其中一个实施例中，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中清洗时间为10分钟。

在其中一个实施例中，所述使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤和使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗的步骤中是进行超声波清洗。

在其中一个实施例中，使用第一溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗并使用第二溶液对所述残留有光刻胶的晶圆进行清洗是进行两次。

在其中一个实施例中，所述光刻胶为残留在多晶硅层表面的光刻胶。

上述光刻返工后残留光刻胶的去除方法，能够去除返工后仍然残留在晶圆上的光刻胶（通常已发生碳化），因此能够降低生产成本、提高生产原料利用率，避免造成浪费。

附图说明

图1是一实施例中光刻返工后残留光刻胶的去除方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

图1是一实施例中光刻返工后残留光刻胶的去除方法的流程图，包括下列步骤：

S110，使用氢氟酸溶液（DHF）浸泡残留有光刻胶的晶圆。

首先将光刻返工后有光刻胶残留的晶圆浸泡在稀释的DHF中。在本实施例中，是采用H₂O和HF的摩尔比为100:1的DHF溶液，浸泡的时间为30秒。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和浸泡时间进行适当的调整。

S120，使用硫酸和双氧水的混合溶液（SPM）对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。

在DHF中的浸泡完成后，使用SPM对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。本实施例中，是采用H₂SO₄和H₂O₂的摩尔比为5:1的SPM溶液，清洗的时间为10分钟。为了取得更好的清洗效果，可以采用超声波清洗的方式，即用超声波清洗机（清洗剂为上述SPM溶液）对该晶圆进行清洗。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和清洗时间进行适当的调整。

S130，使用氨水和双氧水的混合溶液的混合溶液（APM）对残留有光刻胶的晶圆进行清洗。

实施例中，是采用NH₄OH、H₂O₂、H₂O的摩尔比为1:2:10的APM溶液，清洗的时间为10分钟。为了取得更好的清洗效果，可以采用超声波清洗的方式，即用超声波清洗机（清洗剂为上述APM溶液）对该晶圆进行清洗。在其它实施例中，本领域技术人员可以对溶液浓度和清洗时间进行适当的调整。