[发明专利]用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置

权利要求书

1.一种用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，该气体注入装置设置在感应耦合等离子体腔室顶部，该感应耦合等离子体腔室包含反应腔（100）和设置在反应腔（100）顶部的气体注入装置，该气体注入装置通过输气管道（104）连接气体源（3），反应腔（100）内设置有载片台（6），载片台（6）用于放置待处理的晶元，反应腔（100）连接真空泵（5），该感应耦合等离子体腔室上方或侧壁还设置线圈（2），以及连接线圈（2）的高频电源（4），其特征在于，

该气体注入装置包含射频窗（101）以及设置在射频窗下表面的第一气孔阵列，该气体注入装置还包含设置在射频窗上表面的一个与所述第一气孔阵列联通的第一气体扩散空间（107），利用第一气密板（106）对第一气体扩散空间（107）进行密封，气体源（3）通过输气管道（104）穿过所述第一气密板（106）向所述第一气体扩散空间（107）供应反应气体，该第一气孔阵列包含若干气孔（103）。

2.如权利要求1所述的用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，其特征在于，所述的射频窗（101）为平面圆盘形，或者为桶形，或者为穹顶形。

3.如权利要求2所述的用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，其特征在于，所述射频窗（101）的下表面还包括围绕所述第一气孔阵列的第二气孔阵列，相应的在射频窗（101）上表面包括一个第二气体扩散空间和第二气密板，气体源通过输气管道（104）穿过所述第二气密板向第二气体扩散空间供应反应气体。

4.如权利要求3所述的用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，其特征在于，所述的气孔阵列的排布是多层环状排列，或者是无序自由排列。

5.如权利要求1-4中任意一个所述的用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，其特征在于，所述的气孔（103）的喷气方向与下方载片台平面呈20 ^o ~180 ^o。

6.如权利要求5所述的用于感应耦合等离子体腔室的气体注入装置，其特征在于，气孔阵列中每个气孔（103）的直径相同，或者不相同，同一个气孔（103），沿其长度方向，从上至下的直径相同，或者不相同。

7.一种具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，该感应耦合等离子体腔室包含反应腔（100）和设置在反应腔（100）顶部的气体注入装置，该气体注入装置通过输气管道（104）连接气体源（3），反应腔（100）内设置有载片台（6），载片台（6）用于放置待处理的晶元，反应腔（100）连接真空泵（5），该感应耦合等离子体腔室上方或侧壁还设置线圈（2），以及连接线圈（2）的高频电源（4）；

该气体注入装置包含射频窗（101）以及设置在射频窗下表面的气孔阵列组，该气体注入装置还包含设置在射频窗上表面的一个与所述气孔阵列组联通的气体扩散空间（107），利用气密板（106）对气体扩散空间（107）进行密封，气体源（3）通过输气管道（104）穿过所述气密板（106）向所述气体扩散空间（107）供应反应气体，该气孔阵列组包含若干气孔阵列，该气孔阵列包含若干气孔（103）。

8.如权利要求7所述的具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，所述的射频窗（101）为平面圆盘形，或者为桶形，或者为穹顶形。

9.如权利要求8所述的具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，所述的气孔阵列组的分布范围为整个射频窗（101）的面积区域，所述的气孔阵列组的排布为单一气孔阵列单区分布，或者为多个气孔阵列多区分布。

10.如权利要求9所述的具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，所述的气孔阵列的排布是多层环状排列，或者是无序自由排列。

11.如权利要求7-10中任意一个所述的具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，所述的气孔（103）的喷气方向与下方载片台平面呈20 ^o ~180 ^o。

12.如权利要求11所述的具有气体注入装置的感应耦合等离子体腔室，其特征在于，气孔阵列中每个气孔（103）的直径相同，或者不相同，同一个气孔（103），沿其长度方向，从上至下的直径相同，或者不相同。