[发明专利]像素结构有效

专利信息
申请号: 201310247059.6 申请日: 2013-06-20
公开(公告)号: CN103439838A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 魏玮君;田堃正;吴明辉;钟仁阳;龚欣玫;王辰;廖乾煌;徐文浩 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1368
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;李岩
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,包括:

一第一主动元件,该第一主动元件的源极与一数据线连接,且该第一主动元件的栅极与一第一扫描线连接;

一第二主动元件,该第二主动元件的源极与该第一主动元件电性连接,且该第二主动元件的栅极与一第二扫描线连接;

一第一像素电极,连接该第一主动元件的一第一漏极,该第一像素电极具有四种配向方向各异的多个第一狭缝以分别定义出四个配向方向各相异的一第一液晶配向区、一第二液晶配向区、一第三液晶配向区以及一第四液晶配向区;

一第二像素电极,具有多个第二狭缝,该些第二狭缝具有四种各相异的配向方向,以分别定义出四个配向方向各相异的一第五液晶配向区、一第六液晶配向区、一第七液晶配向区以及一第八液晶配向区;

一第三像素电极,连接于该第二主动元件的漏极,且该第三像素电极具有多个第三狭缝,该些第三狭缝仅具有二种各相异的配向方向,以分别定义出一第九液晶配向区以及一第十液晶配向区;

一耦合电极,连接该第一主动元件的一第二漏极、该第二像素电极与该第二主动元件的源极,并且该耦合电极延伸经过该第一像素电极、该第二像素电极以及该第三像素电极,且与部分该第一像素电极、部分该第二像素电极以及部分该第三像素电极重叠;以及

一电容电极,分别与另一部分该第一像素电极、另一部分该第二像素电极以及另一部分该第三像素电极重叠。

2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第七液晶配向区位于该第五液晶配向区与该第九液晶配向区之间,该第八液晶配向区位于该第六液晶配向区与该第十液晶配向区之间。

3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,该第五液晶配向区与该第九液晶配向区的面积和实质上等于该第六液晶配向区与该第十液晶配向区的面积和。

4.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,该第五液晶配向区与该第九液晶配向区的面积和实质上等于该第七液晶配向区的面积或是该第六液晶配向区与该第十液晶配向区的面积和实质上等于该第八液晶配向区的面积。

5.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,该第七液晶配向区面积与该第八液晶配向区面积实质上大于该第五液晶配向区面积与该第六液晶配向区面积。

6.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一像素电极具有一第一主干、一与该第一主干交错的一第二主干以定义出该第一至该第四液晶配向区,并且该些多个第一狭缝分别设置于该第一至该第四液晶配向区内,并且

该第二像素电极具有一第三主干、一与该第三主干交错的一第四主干以定义出该第五至该第八液晶配向区,并且该些多个第一狭缝分别设置于该第五至该第八液晶配向区内。

7.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,更包括一辅助电极,连接至该耦合电极,且该第九液晶配向区的配向方向以及该第十液晶配向区的配向方向指向该耦合电极与该辅助电极的交点。

8.如权利要求7所述的像素结构,其特征在于,该辅助电极的长度大于该第三像素电极的宽度的1/2或者是实质上等于该第三像素电极的宽度。

9.如权利要求7所述的像素结构,其特征在于,该辅助电极位于该第二扫描线与该第三像素电极之间。

10.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,该第一液晶配向区、该第二液晶配向区、该第三液晶配向区以及该第四液晶配向的面积大致相同。

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