[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包含

一外延结构，该外延结构包含：

发光层；

第一导电型局限层，位于该发光层上；

第二导电型局限层，位于该发光层下，

其中该第一导电型局限层的厚度不等于该第二导电型局限层的厚度，该发光层所产生的光线的光强度沿该外延结构生长方向分布变化，其中最大光强度位于发光层以外的区域。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中该光强度分布变化包含峰值区域，且该峰值区域的光强度大于该最大光强度的百分之九十。

3.如权利要求1所述的发光元件，还包含基板，位于该外延结构下。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中该外延结构还包含：

第一导电型包覆层与第二导电型包覆层，分别位于该第一导电型局限层上与该第二导电型局限层下。

5.如权利要求4所述的发光元件，其中该发光层具有第一折射率n₁；该第一导电型局限层与该第二导电型局限层具有第二折射率n₂；该第一导电型包覆层与该第二导电型包覆层具有第三折射率n₃；其中，该第一折射率n₁、该第二折射率n₂以及该第三折射率n₃满足n₁>n₂>n₃的关系。

6.如权利要求4所述的发光元件，其中该第一导电型局限层厚度与该第二导电型局限层厚度比约为2至200或1/2至1/200。

7.如权利要求4所述的发光元件，其中该外延结构还包含第一导电型窗户层与第二窗户层，分别位于该第一导电型包覆层上与该第二导电型包覆层下，其中该第一导电型窗户层的出光面与该第二导电型窗户层的下表面为粗化表面。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光层的光局限因子小于百分之六十。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中该发光层为多重量子阱结构。