[发明专利]一种提高方阻均匀性的装置无效
申请号: | 201310240473.4 | 申请日: | 2013-06-18 |
公开(公告)号: | CN103311373A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 许文凤;郭兴刚;钱昆;贾静;吕高龙;陈龙;张满良;梁汉杰 | 申请(专利权)人: | 奥特斯维能源(太仓)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/22;H01L31/042 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 刘燕娇 |
地址: | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 均匀 装置 | ||
1.一种提高方阻均匀性的装置,其特征在于:包括位于扩散炉管内的进气球碗,所述进气球碗包括进气端、球碗部分和排气端,所述进气端和球碗部分相互连通,所述排气端呈U型,其一端端口封闭,另一端端口与所述球碗部分连接,在排气端与球碗部分的连接处设有阀门,排气端的侧壁上设有孔。
2.根据权利要求1所述的提高方阻均匀性的装置,其特征在于:所述排气端侧壁上孔的个数为4个。
3.根据权利要求1所述的提高方阻均匀性的装置,其特征在于:所述排气端具有两个相对的侧壁,4个孔位于其中一个侧壁上,或分别位于两个相对的侧壁上。
4.根据权利要求1所述的提高方阻均匀性的装置,其特征在于:所述阀门与排气端封闭一端端口的距离为15-20mm。
5.根据权利要求1所述的提高方阻均匀性的装置,其特征在于:所述进气球碗的长度为200mm。
6.根据权利要求1所述的提高方阻均匀性的装置,其特征在于:所述进气端的长度为31.5mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥特斯维能源(太仓)有限公司,未经奥特斯维能源(太仓)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310240473.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的