[发明专利]感测器件及相关操作方法

权利要求书

1.一种感测器件，包括：

第一感测布置，所述第一感测布置在第一衬底上以感测第一属性；

加热布置；

温度感测布置；以及

控制系统，所述控制系统耦合到所述第一感测布置、所述加热布置和所述温度感测布置，以激活所述加热布置加热所述第一衬底，以及在从所述第一感测布置获得所述第一属性的一个或多个测量值时停用所述加热布置；

其中在获得所述第一属性的所述一个或多个测量值的同时，从所述温度感测布置获得一个或多个测量的温度值；

其中一个或多个测量值中的第一测量值与从所述温度感测布置获得的第一温度值相应，并且一个或多个测量值中的第二测量值与从所述温度感测布置获得的第二温度值相应。

2.根据权利要求1所述的感测器件，其中，所述第一感测布置在第一半导体管芯上，所述加热布置用于在被激活时加热第一半导体管芯，所述控制系统在从所述第一感测布置获得所述第一属性的多个测量值以及从所述温度感测布置获得对应于第一感测布置的温度的多个测量的温度值时停用所述加热布置，其中在获得所述第一属性的所述多个测量值的同时，从所述温度感测布置获得对应于第一感测布置的温度的所述多个测量的温度值。

3.根据权利要求2所述的感测器件，进一步包括存储元件以保持所述第一感测布置的修正代码，其中所述控制系统耦合到所述存储元件，以基于所述修正代码和所述一个或多个测量的温度值来确定温度补偿值，以及基于所述温度补偿值和所述第一属性的所述一个或多个测量值来输出所述第一属性的温度补偿后的测量值。

4.根据权利要求1所述的感测器件，进一步包括第二衬底，在所述第二衬底上部署有所述加热布置。

5.根据权利要求4所述的感测器件，其中所述控制系统被部署在所述第二衬底上。

6.根据权利要求4所述的感测器件，其中所述第一衬底和所述第二衬底被封装在单个器件封装件中。

7.根据权利要求4所述的感测器件，进一步包括在所述第二衬底上的温度感测布置，其中所述控制系统耦合到所述温度感测布置，以从所述温度感测布置获得与所述第一属性的所述一个或多个测量值相对应的一个或多个测量的温度值。

8.根据权利要求4所述的感测器件，其中所述第一衬底和所述第二衬底被堆叠。

9.根据权利要求1所述的感测器件，其中所述第一感测布置包括磁感测布置，所述磁感测布置被配置成感测周围磁场。

10.一种校准在半导体衬底上部署的感测布置的方法，所述方法包括：

从所述感测布置获得由所述感测布置感测到的与第一温度相对应的第一属性的第一测量值；

在获得所述第一测量值之后，激活加热布置以加热所述半导体衬底；以及

在激活所述加热布置之后：

从所述感测布置获得与第二温度相对应的所述第一属性的第二测量值；

在获得所述第二测量值时停用所述加热布置。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：

在获得所述第二测量值之后，从所述感测布置获得与第三温度相对应的所述第一属性的第三测量值；

基于所述第三温度和所述感测布置的修正代码来确定温度补偿值，其中至少部分基于所述第一测量值、所述第一温度、所述第二测量值、以及所述第二温度来确定所述修正代码；以及

按照所述温度补偿值来调整所述第三测量值，以获得所述第一属性的温度补偿后的测量值。

12.根据权利要求10所述的方法，其中停用所述加热布置包括：在操作耦合到所述感测布置的输出的采样布置以获得所述第二测量值的同时，停用所述加热布置。

13.根据权利要求10所述的方法，所述加热布置被部署在第二半导体衬底上，所述第二半导体衬底与所述半导体衬底一起封装在器件封装件中，其中所述方法进一步包括：

在获得所述第一测量值的同时，从在所述第二半导体衬底上的温度感测布置获得与所述第一温度相对应的第一温度测量值；以及

在获得所述第二测量值的同时，从所述温度感测布置获得与所述第二温度相对应的第二温度测量值。